SQJ262EP-T1_GE3

产品概述：SQJ262EP-T1_GE3

基本信息

SQJ262EP-T1_GE3 是一款由 VISHAY(威世) 生产的高效能 N 通道 MOSFET（场效应管），其设计特别适用于需要高电流和高电压操作的现代电子应用。该器件采用 PowerPAK® SO-8 双通道不对称封装，具有良好的热管理特性和出色的电性能，广泛应用于电源转换、马达控制、功率放大等领域。

主要特点

• 高漏源电压：最大漏源电压为 60V，适合需要中等电压电源应用的场合。
• 高电流承载能力：在工作条件下，SQJ262EP 可实现连续漏极电流 (Id) 达到 15A，而在贴合条件下可达到 40A，提供出色的动态性能。
• 低导通电阻：在不同的电流和栅极电压条件下（Vgs），该器件的导通电阻（Rds(on)）最大值分别为 35.5 毫欧（在 2A，10V 下）和 15.5 毫欧（在 5A，10V 下）。这一低阻抗特性可以显著降低功耗，提高效率。
• 优良的栅极阈值电压：Vgs(th) 最大值为 2.5V（在 250µA 条件下），这使得该 MOSFET 非常适合低电压驱动电路，简化了电路设计并增强了兼容性。

性能参数

• 栅极电荷（Qg）：器件在 10V 时的栅极电荷最大值为 10nC，在高电流应用中表现出显著的开关性能，减少了开关损耗，提高了整体效率。
• 输入电容（Ciss）：该器件在 25V 时的输入电容为 550pF，能有效降低输入信号的衰减，支撑高频工作的稳定性。

工作环境

SQJ262EP-T1_GE3 具有广泛的工作温度范围，从 -55°C 到 175°C（TJ），使得它在严酷的环境条件下仍能保持高效运行，满足工业、汽车和航空等高可靠应用的需求。

封装和安装

SQJ262EP-T1_GE3 使用 PowerPAK-SO-8-4 多引脚封装，具有良好的热管理和电气性能。表面贴装设计使得产品易于集成于高密度 PCB 上，从而减少了设计空间，提升了系统的可靠性和性能。

应用场景

该 MOSFET 在电源管理、开关电源、DC-DC 转换器、电机控制、LED 驱动和其他需要高电压及高电流的电子设备中发挥了重要作用。因为其低导通电阻和高电流能力，SQJ262EP-T1_GE3 是设计高效电源系统和提升整体能量利用率的理想选择。

总结

SQJ262EP-T1_GE3 通过结合高性能和多元化的应用潜力，定位为现代电子设计中不可或缺的高性能 MOSFET 解决方案。无论是在电源管理、马达驱动还是其他工业应用中，它的出色表现都能有效满足工程师对于效率和可靠性的严格要求。VISHAY 作为优秀的电子元件供应商，以其产品的质量和性能在行业中获得了良好的声誉，SQJ262EP-T1_GE3 无疑是另一个值得信赖的选择。