CSD87350Q5D

CSD87350Q5D 产品概述

CSD87350Q5D 是一款由德州仪器（TI）设计和制造的高性能 N-沟道场效应管（MOSFET），在电源管理和开关应用中具有广泛的潜力。它的表面贴装型设计、低导通电阻、高电流能力以及宽温度范围，使其成为高效能和小型化设计的理想选择。

主要参数与特性

1. 安装类型与封装:

   CSD87350Q5D 采用了表面贴装型（SMD）技术，封装为 8-LSON（5x6 mm）。这种小型化封装适合于现代电子设备，能够有效节省空间并使布线更为简洁。

2. 导通电阻与电流能力:

   该MOSFET的导通电阻在不同 Id 和 Vgs 条件下最大值可达 5.9 毫欧（@20A，8V），展现出卓越的导电性能。其连续漏极电流（Id）能力高达 40A，证明了它能够在苛刻的电流条件下稳定工作。

3. 输入电容与高频响应:

   CSD87350Q5D 在 15V 电压下的输入电容（Ciss）最大值为 1770pF。这意味着在高频应用中，可以实现快速开关，减少开关损耗，并提升整体效率。

4. 工作温度范围:

   该器件具有 -55°C 到 150°C 的宽工作温度范围，使其适用于极端环境条件下的各种工业和消费类应用。

5. 栅极电荷与逻辑电平门特性:

   最大栅极电荷（Qg）为 10.9nC（@4.5V），这使得器件在高频运行时更具响应性，并能够与逻辑电平驱动电路直接兼容，简化了设计复杂性。

6. 漏源电压:

   CSD87350Q5D 的漏源电压（Vdss）为 30V，适用于需要较低电压操作的应用场景。

7. 门极阈值电压（Vgs(th)）:

   在 250µA 电流下，确保了器件的开关特性，其门极阈值电压最大值为 2.1V。这一特性使得 MOSFET 能在低电压下启动，进一步提升其应用灵活性。

应用场景

由于 CSD87350Q5D 具备高效能与可靠性，它在多个领域的应用潜力巨大，包括：

• 电力管理: 适用于 DC-DC 转换器、无源双向转换器等电源管理模块，尤其在便携式电子设备中，可以实现高效能的电源转换和能量存储。

• 开关电源: 在电源适配器和充电器中，作为开关元件，能够降低功耗，提升整体效率。

• 电动机驱动: 适用于电动机控制电路，能够在不同工作负载下保持优秀的导电性。

• 自动化与工业应用: 在智能控制与自动化设备中，提供高效能开关，增强系统响应速度和可靠性。

总结

德州仪器的 CSD87350Q5D 以其卓越的性能、宽广的工作温度范围及高电流输出，成为现代电子设计中的重要元器件。其合理的封装设计和兼容的逻辑电平特性，使得它在众多电子应用中具备无与伦比的优势，促进了更小型以及更高效的电源管理解决方案的发展。对于设计工程师而言，选择 CSD87350Q5D 能有效提升产品的性能与效能，是一项值得投资的选择。