IRF4905STRRPBF 产品实物图片
IRF4905STRRPBF 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRF4905STRRPBF

商品编码: BM0214800891
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
D2PAK
包装 : 
-
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 170W 55V 42A 1个P沟道 D2PAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
8.98
按整 :
卷(1卷有800个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥8.98
--
100+
¥7.6
--
800+
¥7.35
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF4905STRRPBF参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)42A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)20mΩ@42A,10V
功率(Pd)170W阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)180nC@10V输入电容(Ciss@Vds)3.5nF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

IRF4905STRRPBF手册

IRF4905STRRPBF概述

IRF4905STRRPBF 产品概述

产品基本信息:

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: HEXFET®
  • 零件状态: 不适用于新设计
  • FET 类型: P 通道 MOSFET
  • 封装类型: D2PAK (TO-263-3)

技术参数: IRF4905STRRPBF 是英飞凌(Infineon)出品的一款高性能 P 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),属于其 HEXFET® 系列。该元件具有广泛的应用潜力和高效的电流控制能力,适合于各种低压大电流应用。

电气特性:

  • 连续漏极电流 (Id): 42A
  • 漏源电压 (Vdss): 55V
  • 最大导通电阻 (Rds(on)): 20 mΩ @ 42A,10V
  • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 4V @ 250µA
  • 最大功率耗散: 170W @ Tc
  • 驱动电压: ±20V
  • 工作温度范围: -55°C ~ 175°C

IRF4905STRRPBF 在25°C 时的额定电流为最高42A,确保了在大负载条件下的稳定工作。配备55V的漏源电压,使其非常适合用于需要高电压以及电流控制的应用。

电容特性:

  • 输入电容 (Ciss): 最大3500pF @ 25V
  • 栅极电荷 (Qg): 最大值为180nC @ 10V

这些特性使得 IRF4905 在开关频率较高的应用中表现良好,能够在不影响电路性能的情况下快速切换状态,从而提高能效。

应用领域: 由于其卓越的电流处理能力,IRF4905STRRPBF 通常用于以下应用:

  1. 电源转换器:如 DC-DC 转换器、逆变器和电源管理系统。
  2. 电机驱动:用于各种电动机的控制,如无刷直流电机(BLDC)和伺服电机驱动。
  3. 电气设备:支持高效的电量供给与控制。
  4. 电池管理系统:在能源储存系统中发挥关键作用,确保电池的高效利用。
  5. 开关电源:包括用于各种消费电子产品和工业控制系统中的开关电源。

绝缘和散热特性: IRF4905 设计有优越的散热能力,最大功率耗散为170W,使其能够较好地应对严苛的工作环境。其D2PAK封装允许有效的热管理和 PCB 布局,适合于表面贴装技术(SMT)。

总结: 作为一款高效的 P 通道 MOSFET,IRF4905STRRPBF 提供了杰出的电气性能和广泛的应用潜力,适合于现代电子设备中对高电流和高功率处理能力的需求。无论是在工业还是消费电子领域,IRF4905 都能够为系统设计师提供可靠的解决方案,从而提升整个产品的性能和效率。尽管显示为“不适用于新设计”,但这款 MOSFET 依然是一种验证过的、高可靠性的选择,能够满足多种应用场景。