类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 55V |
连续漏极电流(Id) | 42A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@42A,10V |
功率(Pd) | 170W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 180nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.5nF@25V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
产品基本信息:
技术参数: IRF4905STRRPBF 是英飞凌(Infineon)出品的一款高性能 P 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),属于其 HEXFET® 系列。该元件具有广泛的应用潜力和高效的电流控制能力,适合于各种低压大电流应用。
电气特性:
IRF4905STRRPBF 在25°C 时的额定电流为最高42A,确保了在大负载条件下的稳定工作。配备55V的漏源电压,使其非常适合用于需要高电压以及电流控制的应用。
电容特性:
这些特性使得 IRF4905 在开关频率较高的应用中表现良好,能够在不影响电路性能的情况下快速切换状态,从而提高能效。
应用领域: 由于其卓越的电流处理能力,IRF4905STRRPBF 通常用于以下应用:
绝缘和散热特性: IRF4905 设计有优越的散热能力,最大功率耗散为170W,使其能够较好地应对严苛的工作环境。其D2PAK封装允许有效的热管理和 PCB 布局,适合于表面贴装技术(SMT)。
总结: 作为一款高效的 P 通道 MOSFET,IRF4905STRRPBF 提供了杰出的电气性能和广泛的应用潜力,适合于现代电子设备中对高电流和高功率处理能力的需求。无论是在工业还是消费电子领域,IRF4905 都能够为系统设计师提供可靠的解决方案,从而提升整个产品的性能和效率。尽管显示为“不适用于新设计”,但这款 MOSFET 依然是一种验证过的、高可靠性的选择,能够满足多种应用场景。