BSC059N04LSGATMA1
BSC059N04LSGATMA1参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 73A；16A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5.9mΩ@50A,10V |
| 功率(Pd) | 50W；2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@23uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 40nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.2nF@20V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
BSC059N04LSGATMA1手册
BSC059N04LSGATMA1概述
产品概述：BSC059N04LSGATMA1
BSC059N04LSGATMA1是一款由英飞凌（Infineon）生产的高性能N通道MOSFET，专为高效电子电路应用而设计，特别适合于功率转换、开关电源和电机驱动等领域。其出色的电气特性和陶瓷封装使其在各类应用中具有广泛的适用性和稳定性。
关键参数与特性
漏源电压（Vdss）： BSC059N04LSGATMA1具有40V的漏源电压能力，能够在各种电源条件下稳定工作，满足中低压应用的需求。
连续漏极电流（Id）： 在25°C环境温度下，器件能够承载高达16A的连续漏极电流，而在情况较优的散热条件下（Tc为25°C），其额定电流可达到73A，显示出卓越的功率处理能力。
导通电阻（Rds(on））： 在10V栅极驱动电压下，导通电阻最大为5.9毫欧，这一低值保证了在高电流条件下的能量损耗最小，从而提高了整体系统的效率。
阈值电压（Vgs(th）： 当Vgs为2V时，漏极电流为23µA，适合低电压控制信号操作，具有良好的开关特性，能够在更低的控制信号下实现导通。
栅极电荷（Qg）： 此处最大栅极电荷为40nC，表明该FET在切换操作时效率高，适合于高频应用和快速开关电源的设计。
输入电容（Ciss）： 在20V时的输入电容为3200pF，能够支持高开关频率的操作，极大提高电路响应速度。
工作温度范围与功率耗散： 该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于各种严苛环境。而在散热条件良好（Tc环境下），最大功率耗散可达到50W，常温（Ta环境下）可为2.5W，保证器件在不同工作条件下的可靠性。
封装与安装
BSC059N04LSGATMA1采用8-PowerTDFN（PG-TDSON-8-5）封装，具备紧凑的尺寸和良好的散热性能，非常适合表面贴装技术（SMT）应用。这种封装形式不仅简化了PCB设计，还提升了器件的散热效率和整体性能。
应用场景
该MOSFET的设计使其适用于多种电子性能要求，如：
- 开关电源: 在DC-DC转换器中可作为高频开关元件，与其他无源元件配合使用，以实现高效能量传输。
- 电机驱动: 在电机控制系统中，作为开关元件快速切换电流，提升电机的运行效率。
- 逆变器应用: 在光伏逆变器或UPS（不间断电源）的电路中扮演关键角色，以高效转换电能。
结论
BSC059N04LSGATMA1以其优异的电气特性、宽广的工作温度范围、出色的散热能力以及紧凑的封装形式，成为了高效能电子设计中不可或缺的元件。它的高导电性和低功耗特性使其在要求严苛的应用中表现卓越，是需要效率和可靠性设计方案的理想选择。无论是在消费电子、工业电力系统还是新能源领域，该MOSFET都能提供强有力的支持，推动各项技术的进步与发展。