类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 30A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 36.6mΩ@10A,10V |
功率(Pd) | 91W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 30nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.47nF@50V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
PSMN040-100MSEX 是 Nexperia USA Inc. 提供的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),它具有出色的电气特性和优越的热稳定性,特别适合于高功率应用和要求高效率的电子设备。该器件采用 LFPAK33 表面贴装封装,便于自动化生产和高密度布局。设计上的优化使其广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等领域。
PSMN040-100MSEX 的设计对象是各种高功率和高频率的电子应用,这些应用通常要求器件在较高的电压和电流下稳定工作。其主要适用领域包括:
PSMN040-100MSEX N 通道 MOSFET 以其高功率、高效率及极广的应用范围,成为现代电子设计中的重要元件。无论是在电源管理、电机驱动还是电池管理系统中,该产品都能为工程师提供灵活的解决方案,满足当前市场对高性能电子设备的需求。通过选择 Nexperia 的 PSMN040-100MSEX,设计师能够在更高的效率与性能的基础上,确保其电子产品的成功和可靠性。