IGBT类型 | FS(场截止) | 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
集电极电流(Ic) | 150A | 功率(Pd) | 455W |
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) | 2.1V@15V,75A | 栅极电荷(Qg@Ic,Vge) | 123nC |
开启延迟时间(Td(on)) | 28ns | 关断延迟时间(Td(off)) | 80ns |
导通损耗(Eon) | 2.4mJ | 关断损耗(Eoff) | 0.72mJ |
反向恢复时间(Trr) | 43.4ns | 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
产品型号:FGH75T65SHD-F155
品牌:ON Semiconductor(安森美)
封装形式:TO-247长引线
FGH75T65SHD-F155是一款高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT),专为高功率和高电压应用而设计。其最大集电极电流(Ic)可达150A,集电极脉冲电流(Icm)可达225A,能够满足苛刻工作环境中的电流需求。这款IGBT的电压—集射极击穿等级高达650V,适合用于650V以下的应用,包括但不限于逆变器、伺服驱动和电源模块等。
电流规格:
电压规格:
开关特性:
栅极电荷和开关速度:
工作温度范围:-55°C至175°C(TJ),适用于严苛的环境条件。
FGH75T65SHD-F155采用TO-247-3封装,拥有长引线设计,便于在散热条件较为复杂的电路设计中实现高效散热。此外,其通孔安装类型使其能够广泛应用于各种电路板中,适应性强。
FGH75T65SHD-F155的优越特性使其成为多种应用场景的理想选择,包括:
FGH75T65SHD-F155是一款集高电流承载能力、优秀开关性能和高可靠性于一体的IGBT,它适用于多种需要高功率和高压的工业和能源应用。借助其出色的技术参数和优势,用户可以实现更加高效、稳定的电源管理和驱动解决方案。此外,该产品的广泛适用性和易于集成的设计,使其在现代电力电子应用中成为一种可靠而有效的选择。