SSM3K2615R,LF

产品概述：SSM3K2615R,LF MOSFET

一、产品简介

SSM3K2615R,LF 是东芝（TOSHIBA）公司生产的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），该产品适用于多种电子设备的开关和放大应用。其出色的导通电阻（Rdson）、较宽的工作电压范围、优越的热性能以及设计上小巧的 SOT-23F 封装使其成为面向现代电子电路的理想选择。

二、基本参数

• 安装类型： 表面贴装型
• 导通电阻（最大值）： 300 毫欧 @ 1A，10V
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.3V - 10V
• 连续漏极电流（Id）： 2A @ 25°C
• FET 类型： N 沟道
• 输入电容 (Ciss)（最大值）： 150pF @ 10V
• 最大栅源电压（Vgs）： ±20V
• 工作温度： -55°C 到 150°C（TJ）
• 漏极源电压（Vdss）： 60V
• 最大功率耗散： 1W @ 25°C
• 阈值电压（Vgs(th)）最大值： 2V @ 1mA

三、主要特性

1. 导通性能优越： SSM3K2615R,LF 在 10V 驱动电压下，最大导通电阻仅为 300 毫欧，对于需要高效率低能耗的电源管理和驱动电路来说极为重要，能够有效降低功耗，提高整体系统的效能。

2. 良好的热稳定性： 此 MOSFET 可在高达 150°C 的工作环境下稳定运行，使其能够在严苛的温度条件下工作，适合汽车电子等高温应用场景。

3. 高额定电流： 本产品的连续漏极电流可达 2A，满足多种实际应用需求，适用于电机驱动、DC-DC 转换等高电流场合。

4. 广泛的输入电压范围： 支持高达 60V 的漏源电压，使 SSM3K2615R,LF 能够应用于54V、48V 等多种电压标准的电源系统中，具有极好的设计灵活性和兼容性。

5. 小型化封装设计： 采用 SOT-23F 封装，产品占用空间小，适合现代电子产品日益紧凑的设计需求。

四、应用领域

SSM3K2615R,LF 的广泛应用包括但不限于：

• 电源管理： 在开关电源、DC-DC 转换器中作为高效开关元件，提高电源的效率和稳定性。
• 电机驱动： 用于电动机控制和驱动电路，有效实现高效驱动和控制。
• 消费电子产品： 在个人电子设备如智能手机、平板电脑等中，担当关键的开关功能。
• 汽车电子： 在汽车的电气系统，如灯光、动力系统、空调等方面，提供高集成的解决方案。

五、总结

SSM3K2615R,LF MOSFET 是一款性能优越、应用范围广泛的 N 沟道场效应管，凭借其小巧封装、低导通电阻和高工作温度等一系列特性，已经成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。无论是在电源管理、电机驱动还是消费与汽车电子领域，这款 MOSFET 都能充分满足设计需求，提供稳定、可靠的性能表现。在考虑新产品设计时，SSM3K2615R,LF 无疑是值得优先考虑的选择。