类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 200V |
连续漏极电流(Id) | 1.9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3Ω@10V,1.1A |
功率(Pd) | 25W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.9nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 170pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 16pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品简介
IRFR9210TRPBF 是一款高性能的 P沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),由 VISHAY(威世)制造,适用于需要高电压和高电流的电子应用。该器件具有200V的漏源电压(Vdss)、1.9A的连续漏极电流(Id)以及出色的导通电阻特性,广泛用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器等领域。
技术参数
封装与安装方式
IRFR9210TRPBF 采用 D-Pak(TO-252-3)封装,方便在表面贴装的电路板上进行快速安装和散热。该封装的紧凑设计使其适合现代电子设备中空间受到限制的应用。
应用场景
由于其优越的性能和可靠性,IRFR9210TRPBF 被广泛应用于以下场景:
优势
结论
IRFR9210TRPBF 是一款极具竞争力的 P沟道 MOSFET,以其卓越的电气性能和耐用性能够满足现代电子设备的各种需求。无论是在高效率的电源设计中,还是在实现电机控制时,IRFR9210TRPBF 作为关键组件,将为设计工程师提供可靠的解决方案,确保产品具有优良的性能和效率。