类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 200V |
连续漏极电流(Id) | 90A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 16.9mΩ@10V,51A |
功率(Pd) | 417W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 162nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 6.484nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 142pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
产品名称: IRF200S234
类型: N通道MOSFET
封装: TO-263-3 (D2PAK)
品牌: 英飞凌 (Infineon)
IRF200S234是一款高性能N通道MOSFET,具备200V的漏源电压(Vdss)、90A的连续漏极电流(Id),以及417W的最大功率耗散。这些特性使其在高压高电流应用中非常理想,比如电源管理、逆变器、电动机驱动及其它功率电子电路。
产品采用表面贴装型(SMD)封装,符合TO-263-3规格,具备良好的热性能及较小的尺寸,适合于高密度的印刷电路板(PCB)设计。
电气特性:
栅极驱动:
电容特性:
热特性:
IRF200S234广泛应用于需要高效能和高稳定性的电力转换领域。它的应用包括但不限于:
英飞凌的IRF200S234 MOSFET是一款设计精良的高功率、高效率的电子元器件,适合用于各种应用领域。在电源管理和驱动控制方面提供出色的性能,具有极低的导通电阻和高的耐压能力,确保了其在高电流和高温环境下的可靠性。同时,选用TO-263-3(D2PAK)封装,使其在紧凑设计上具有优势,非常适合现代电子设备的需求。