IRF200S234 产品实物图片
IRF200S234 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRF200S234

商品编码: BM0218933114
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-263-3(D2PAK)
包装 : 
编带
重量 : 
1.693g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 417W 200V 90A 1个N沟道 TO-263-3
库存 :
200(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
6.12
按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥6.12
--
100+
¥4.9
--
8000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF200S234参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)90A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)16.9mΩ@10V,51A
功率(Pd)417W阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)162nC@10V输入电容(Ciss@Vds)6.484nF
反向传输电容(Crss@Vds)142pF工作温度-55℃~+175℃

IRF200S234手册

IRF200S234概述

IRF200S234 产品概述

产品名称: IRF200S234
类型: N通道MOSFET
封装: TO-263-3 (D2PAK)
品牌: 英飞凌 (Infineon)

一、产品特点

IRF200S234是一款高性能N通道MOSFET,具备200V的漏源电压(Vdss)、90A的连续漏极电流(Id),以及417W的最大功率耗散。这些特性使其在高压高电流应用中非常理想,比如电源管理、逆变器、电动机驱动及其它功率电子电路。

产品采用表面贴装型(SMD)封装,符合TO-263-3规格,具备良好的热性能及较小的尺寸,适合于高密度的印刷电路板(PCB)设计。

二、性能参数

  1. 电气特性:

    • 漏源电压 (Vdss): 最大200V,适合中高压应用。
    • 连续漏极电流 (Id): 可以承载高达90A的电流,适合高功率电路。
    • 导通电阻 (Rds On): 最大16.9毫欧(当Id为51A且Vgs为10V时),意味着在工作时发热非常小,提高效率。
  2. 栅极驱动:

    • 驱动电压: 最小Rds On电压为10V,搭配高效的栅极电荷特性,使得在驱动电压下能够快速开启和关闭,从而降低开关损耗。
    • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大5V @ 250μA,确保MOSFET在正常工作条件下能快速导通。
  3. 电容特性:

    • 输入电容 (Ciss): 最大6484pF @ 50V,良好的电容特性进一步提高开关速度并降低开关损耗。
  4. 热特性:

    • 功率耗散: 最大417W,能够有效处理在高负载条件下的发热问题。
    • 工作温度范围: -55°C至175°C(TJ),满足广泛应用场景的环境需求,确保器件在极端条件下的可靠性。

三、应用领域

IRF200S234广泛应用于需要高效能和高稳定性的电力转换领域。它的应用包括但不限于:

  • 电源管理: 作为开关元件用于DC-DC转换器,电力逆变器和电池管理系统。
  • 电动机驱动: 在直流电动机驱动及无刷电动机控制中,能够实现高效控制和快速响应。
  • 工业自动化: 在工业设备中,MOSFET可用于功率分配和控制,确保设备稳定运行。
  • 消费电子: 在各种便携式和不便携式电子产品中,提供高效性和节能效果。

四、总结

英飞凌的IRF200S234 MOSFET是一款设计精良的高功率、高效率的电子元器件,适合用于各种应用领域。在电源管理和驱动控制方面提供出色的性能,具有极低的导通电阻和高的耐压能力,确保了其在高电流和高温环境下的可靠性。同时,选用TO-263-3(D2PAK)封装,使其在紧凑设计上具有优势,非常适合现代电子设备的需求。