接口类型 | SPI | 存储容量 | 128Mbit |
时钟频率(fc) | 120MHz | 工作电压 | 1.65V~2V |
页写入时间(Tpp) | 500us | 块擦除时间(tBE) | 160ms@(32KB) |
数据保留 - TDR(年) | 20年 | 工作温度 | -40℃~+85℃ |
GD25LQ128ESIGR 是由 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 生产的一款高性能 NOR Flash 存储器,其拥有 128Mb (16M x 8) 的存储容量。该器件采用 SPI(串行外设接口)四个 I/O 通道的通信方式,使其在数据传输速度上表现优异。设计目标是为了满足各种嵌入式系统和消费电子设备的非易失性存储需求。
GD25LQ128ESIGR 的工作温度范围为 -40°C 至 85°C,提供了良好的环境适应能力,使其能够在各种严酷环境下可靠工作,适合汽车电子、工业控制和消费电子等多个领域。
GD25LQ128ESIGR 可广泛应用于:
GD25LQ128ESIGR 是一款功能强大、性能优异的 NOR Flash 存储器,凭借其高容量、高速读写以及宽广的工作温度范围,充分满足了现代电子设备对存储器的多样化需求。无论是在设计要求还是在应用场景上,它都展现出了良好的适应性和出色的性能,是行业内值得信赖的存储解决方案。