BUK9M24-60EX
BUK9M24-60EX参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 24mΩ@5V,10A |
| 功率(Pd) | 55W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.7V@1mA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 12.4nC@5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.469nF@25V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 92pF@25V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
BUK9M24-60EX手册
BUK9M24-60EX概述
产品概述：BUK9M24-60EX
BUK9M24-60EX 是一款由 Nexperia USA Inc. 生产的高性能 N通道 MOSFET，属于 Automotive 系列，符合 AEC-Q101 标准，特别设计用于汽车和严酷工作环境的应用。这款 MOSFET 采用了 TrenchMOS™ 技术，以实现优异的导通特性和低的导通电阻，适合多种高频和高速开关应用。
主要参数与特性
电流承载能力: BUK9M24-60EX 在 25°C 的环境温度下，具有32A的连续漏极电流 (Id)，可为各种动力系统和电气管理提供可靠的支持。同时，该器件的工作温度范围为 -55°C 到 175°C，允许其在极端温度条件下正常工作，这使其成为严酷环境下的理想选择。
导通电阻: 在不同的 Id 和 Vgs 条件下，该 MOSFET 的导通电阻 (Rds On) 最大值为 21 毫欧（在 10A 和 10V 时测得），这确保了其低功耗运行和高效率，适合电池驱动和能量敏感型应用。
阈值电压 (Vgs(th)): BUK9M24-60EX 的阈值电压最大值为 2.1V（在 1mA 流量下），这为设计提供了更高的灵活性，能够在较低的栅极电压条件下实现有效的开关控制。
功率处理能力: 器件的最大功率耗散 (Pd) 额定值为 55W (Tc)，确保了高负载应用的安全性与效率。这意味着 BUK9M24-60EX 能够有效地处理大功率应用，并保持较低的发热量。
电压与电容性特性: BUK9M24-60EX 的漏源电压 (Vdss) 额定为60V，适合用于中等电压的电源管理与电机驱动场合。此外，该器件的输入电容 (Ciss) 在 25V 时最大值为 1469pF，保持优秀的性能和响应速度，非常适合用于开关电源和 DC-DC 转换器。
栅极电荷: 在5V的驱动电压下，该 MOSFET 的最大栅极电荷 (Qg) 为 12.4 nC，为快速开关提供了必要的栅极驱动能力，有助于提升开关频率和系统效率。
封装与安装: BUK9M24-60EX 采用 LFPAK33 紧凑型表面贴装封装（SOT-1210），在尺寸和热管理方面提供了出色的平衡，非常适合高密度电路板设计。
应用场景
BUK9M24-60EX 适合于多种应用场景，包括但不限于：
- 汽车电子: 由于其高温运行能力和低 Rds On，特别适合用于汽车电源管理系统、马达控制、LED 驱动和电池管理。
- 工业自动化: 在要求高效能的电源转换和电机驱动的工业应用，提供优异的性能与可靠性。
- 消费电子: 可用于电源适配器、交流-直流转换器及 DC-DC 转换器中，提升转换效率和减少发热。
- 新能源应用: 在太阳能和电动车组中，成为高效能的开关电源和控制单元的理想选择。
结论
综上所述，BUK9M24-60EX 以其优异的性能参数、竞争力的导通电阻和广泛的应用范围，成为汽车及工业领域中不可或缺的现代电源管理解决方案。无论是高性能的电源转化还是严酷的环境应用，这款 MOSFET 都能满足设计师和工程师的需求，展现出强大的技术优势和可靠性。