类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 25A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 61mΩ@10V,4.7A |
功率(Pd) | 66W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 30nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.06nF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 49pF@30V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
BUK6Y61-60PX是由Nexperia USA Inc.制造的一款高性能P沟道MOSFET,属于其汽车级系列,符合AEC-Q101标准,专为汽车和工业应用而设计。该器件利用了TrenchMOS™技术,提供优异的导通性能和高效的电源管理能力,广泛应用于电源管理、开关电源和电机驱动等场景。
电气特性:
功率特性:
电容特性:
BUK6Y61-60PX以LFPAK56封装形式提供,采用表面贴装技术(SMD),旨在减少占用空间并提高电路板设计的灵活性。这种封装方式特别适合现代紧凑型设备,确保了优良的热性能,提升器件的散热能力。
BUK6Y61-60PX适用于以下应用领域:
与传统的MOSFET相比,BUK6Y61-60PX提供了更低的导通电阻和更高的功率处理能力,让产品在高频率、高负载的环境下运行更为稳定。尤其是在汽车应用中,该产品的高温操作能力和兼容性使其成为行业内的理想选择。
作为一款具有显著性能优势的P沟道MOSFET,BUK6Y61-60PX在电源管理和控制领域的应用展现了其强大的市场竞争力。其优良的电气特性、宽广的温度应用范围及优质的封装设计,使得该器件在现代电子产品设计中不可或缺。无论是在汽车电子、工业控制或其他高可靠性应用方面,BUK6Y61-60PX均能为设计工程师提供理想的解决方案,助力他们开发出更高效、更可靠的电子产品。