晶体管类型 | 1个NPN-预偏置 | 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
集电极电流(Ic) | 100mA | 功率(Pd) | 200mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 68@5mA,5V | 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.4V@1mA,0.3V |
输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@5mA,0.25mA | 输入电阻 | 10kΩ |
电阻比率 | 4.7 | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DTC114YU3HZGT106 是 ROHM(罗姆)公司推出的一款数字 NPN 晶体管,具有预偏压特性,适用于低功耗电子电路的开关与放大应用。其最大电流为100mA,最大集射极击穿电压为50V,结合出色的电流增益特性,使得该器件能够广泛应用于各种电子设备中,例如音频设备、信号放大器和电源管理模块等。作为一种高度集成、表面贴装型 (SMD) 组件,DTC114YU3HZGT106 特别适合现代小型化电子产品设计。
DTC114YU3HZGT106 的关键参数如下:
DTC114YU3HZGT106 的设计使其特别适合以下应用场景:
在选择 DTC114YU3HZGT106 时,工程师需综合考虑其最大电流、电压、功率等参数,以确保该晶体管可以适应特定电路的需求。与此同时,基极和发射极的电阻值则是影响工作效率与增益的重要因素,应在电路设计中进行合理的设计和调校。
DTC114YU3HZGT106 作为 ROHM 提供的高性能 NPN 晶体管,不仅具备丰富的参数特性,还能够在多种应用中展现出优异的性能表现。它的预偏置特性、低功耗、高频特性以及出色的增益表现使其成为现代电子设计、特别是在通信、开关电源、音乐设备等领域不可或缺的核心元件。通过合理的应用和调配,可以极大地提升电子产品的性能和可靠性,助力各项电子项目的成功实现。