STB28NM50N

STB28NM50N产品概述

STB28NM50N是一款高性能的N通道MOSFET，由意法半导体（STMicroelectronics）出品，专为需要高电压和大电流处理的应用而设计。其漏源电压（Vdss）为500V，连续漏极电流（Id）达到21A，适宜在多种工业和消费电子环境中使用。以下是该元件的一些关键特性和应用场景的详细介绍。

主要规格参数：

• 技术类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
• 漏源电压（Vdss）：500V，适用于高电压电源管理及转换电路。
• 持续漏极电流（Id）：在25°C时可达21A，确保高效电流传输。
• 导通电阻（Rds(on)）：在10.5A、10V下，最大导通电阻为158毫欧，提供低的功率损耗及热管理性能。
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为4V @ 250µA，良好的开关控制能力。
• 栅极电荷（Qg）：最大值50nC @ 10V，电源门电路驱动简单，效率高。
• 输入电容（Ciss）：在25V下最大值为1735pF，适应更快速的开关频率。
• 功率耗散（Pd）：最大150W，适合高功率应用。
• 工作温度：最高工作温度可达150°C，特别适合高温工作环境。
• 封装类型：D2PAK，表面贴装型，具备良好的散热能力和安装方便性。

产品特点：

1. 高压与高电流能力：STB28NM50N具有500V的最大漏源电压，适合于高压电源和工业设备。21A的连续漏极电流使其能够在较高电流要求的电路中稳定工作。

2. 低导通电阻：其最大导通电阻为158毫欧，这在高电流工作时能减少功率损失和发热，从而提高系统效率。

3. 良好的热管理：该MOSFET的最大功率耗散可达150W，结合其D2PAK封装设计，使其在高负载条件下依然能够较为有效地散热，确保系统的安全与可靠性。

4. 宽工作温度范围：STB28NM50N能够在高达150°C的环境下正常工作，适应各种复杂和严苛的应用环境。

5. 方便的驱动特性：其栅极电荷特性（Qg）为50nC，使得驱动电路设计更加简单，减少了电源设计上的复杂性。

应用场景：

STB28NM50NMOSFET广泛应用于以下领域：

• 开关电源：高效率的开关电源设计，如DC/DC转换器、AC/DC电源适配器等。
• 电机驱动：用于大功率电机控制系统中的开关元件，可在工业自动化和电动车辆驱动中使用。
• 照明控制：用于LED驱动电路，在LED照明中可实现高效的功率转换和控制。
• 逆变器：太阳能逆变器和UPS系统中用于电力转换的关键元件。
• 汽车电子：在汽车的电源管理和动力控制系统中，提供可靠的开关解决方案。

结论

总之，STB28NM50N是一款经过优化的N通道MOSFET，具备高电压、大电流及低热量特性，极为适合现代电子设备的高效率与稳定性需求。无论是在电源管理、工业控制还是汽车电子等多个领域，STB28NM50N都展现出了其出色的性能，能够有效提高系统的工作效率和可靠性。在选择适合的MOSFET时，STB28NM50N无疑是值得考虑的优秀解决方案。