晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 300V | 功率(Pd) | 20W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 30@50mA,10V | 集电极截止电流(Icbo) | 100uA |
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 2V@50mA,5.0mA | 工作温度 | -65℃~+150℃ |
MJE340G 是由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款高性能 NPN 晶体管,适用于多种电子电路的应用。该器件能够提供高达 500mA 的集电极电流、300V 的集射极击穿电压,使其在高压和高电流条件下具有良好的工作稳定性。由于具有卓越的电气特性,MJE340G 被广泛应用于开关电源、小型控制电路和功率放大器等领域。
晶体管类型: NPN
最大集电极电流 (Ic): 500mA
最高集射极击穿电压 (Vce): 300V
集电极截止电流 (ICBO): 100µA
直流电流增益 (hFE): 最小值 30 @ 50mA,10V
最大功率: 20W
工作温度范围: -65°C ~ 150°C
安装类型: 通孔
封装类型: TO-225AA,TO-126-3
MJE340G 由于其优异的电气特性和广泛的工作温度范围,适用许多应用场合,包括但不限于:
MJE340G 是一款多用途的 NPN 晶体管,凭借其出色的电特性和广泛的应用领域,成为电子设计工程师在功率管理、电流控制和信号放大等领域中的重要选择。该器件不仅提供良好的性能和可靠性,还确保电子系统在极端工作条件下的稳定操作。对于需要高效、可靠且耐高压的应用,MJE340G 无疑是一个理想的选择。