类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 2.3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 140mΩ@4.5V,2A |
功率(Pd) | 700mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 700mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.9nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 285pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 32pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI2301-ZE 是一款高性能的 P 型场效应管(MOSFET),其额定功率为 700mW,额定电压为 20V,最大电流可达 2.3A。该器件采用 SOT-23 封装,是华轩阳电子(HXY)推出的一款专业器件,特别适合于各种电子应用中的开关与放大电路。
SI2301-ZE 主要用于以下领域:
SI2301-ZE 使用 SOT-23 封装,具有良好的散热特性和可靠的电气连接。引脚配置如下:
通过简单的 PCB 设计,用户可以轻松集成此元器件到其设计中,节省时间和成本。
在使用 SI2301-ZE 时,用户应注意以下事项:
SI2301-ZE 作为一款高效、可靠的 P 型 MOSFET,凭借其优越的电气性能、广泛的应用适用性以及小巧的封装设计,必将成为电子设备设计者和工程师的得力助手。无论是在电源管理、马达驱动,还是在新兴的智能设备中,SI2301-ZE 都将发挥其高效能和稳定性,为各种应用提供强有力的支持。