漏源电压(Vdss) | 20V | 连续漏极电流(Id) | 1.6A |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 115mΩ@4.5V,1.6A | 功率(Pd) | 1.1W |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 400mV@250uA | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 60nC@4.5V |
输入电容(Ciss@Vds) | 405pF@10V | 反向传输电容(Crss@Vds) | 45pF |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
FDN338P是由TECH PUBLIC(台舟电子)生产的一款N沟道增强型场效应管(MOSFET),采用SOT-23封装。该器件凭借其优异的电气特性与小型化封装,广泛应用于各种低功耗电子设备中。
FDN338P采用SOT-23封装,这是一种小型表面贴装封装,常用于消费者电子和便携式设备中。SOT-23的优势在于其占用空间小,有利于电路的紧凑设计和整体布局优化。该封装通常具有三个引脚,适合自动化贴装,能够降低组装成本并提高生产效率。
FDN338P具有许多突出的电气特性,具体包括:
最大漏极源极电压(V_DS):FDN338P的最大漏极源极电压可达30V,适合于中低电压应用。
最大漏极电流(I_D):在室温条件下,FDN338P的最大漏极电流为1.5A。这个参数使其适合作为开关元件,通过控制漏极电流来驱动负载。
栅源阈值电压(V_GS(th)):FDN338P的栅源阈值电压范围通常在0.8V到2.0V之间,这表明其在较低栅电压下即能进入导通状态,非常适合与微控制器(MCU)或其他低电压控制电路配合使用。
R_DS(on):在V_GS为10V的条件下,FDN338P的导通阻抗(R_DS(on))小于0.05Ω,确保在导通状态下能够提供高效的电流传输和低功耗的特性。
FDN338P广泛应用于以下领域:
开关电源:在开关电源中用作开关元件,以实现高效率的能量转换和管理。
电池管理系统(BMS):作为电流控制元件,实现对电池组的保护和监测功能,保证电池的安全性和性能。
LED驱动:在LED照明系统中,FDN338P能够高效控制LED灯的开启和关闭,有助于降低能耗。
电机驱动:在小型电机驱动电路中,FDN338P可用作开关,控制电机的启停及转速。
便携产品:例如智能手机、平板和其他便携式设备中,FDN338P由于其低功耗特性,非常适用于电源管理和信号开关应用。
FDN338P在多个方面具备显著的性能优势:
FDN338P是TECH PUBLIC(台舟电子)推出的一款高性能N沟道MOSFET,凭借其小型化的SOT-23封装、出色的电气特性和广泛的应用能力,成为现代电子设计中不可或缺的重要元件。无论是在消费者电子、工业控制还是高科技产品中,FDN338P凭借其优良的性能确保了设计的灵活性和高效性,助力电子产品向更轻薄、智能的方向发展。