FDN338P 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

FDN338P

商品编码: BM0220136685
品牌 : 
TECH PUBLIC(台舟电子)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET)
库存 :
3807(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.311
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.311
--
200+
¥0.201
--
1500+
¥0.175
--
3000+
¥0.155
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

FDN338P参数

漏源电压(Vdss)20V连续漏极电流(Id)1.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)115mΩ@4.5V,1.6A功率(Pd)1.1W
阈值电压(Vgs(th)@Id)400mV@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)60nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)405pF@10V反向传输电容(Crss@Vds)45pF
工作温度-55℃~+150℃

FDN338P手册

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FDN338P概述

FDN338P 产品概述

1. 产品基本信息

FDN338P是由TECH PUBLIC(台舟电子)生产的一款N沟道增强型场效应管(MOSFET),采用SOT-23封装。该器件凭借其优异的电气特性与小型化封装,广泛应用于各种低功耗电子设备中。

2. 封装与尺寸

FDN338P采用SOT-23封装,这是一种小型表面贴装封装,常用于消费者电子和便携式设备中。SOT-23的优势在于其占用空间小,有利于电路的紧凑设计和整体布局优化。该封装通常具有三个引脚,适合自动化贴装,能够降低组装成本并提高生产效率。

3. 关键参数

FDN338P具有许多突出的电气特性,具体包括:

  • 最大漏极源极电压(V_DS):FDN338P的最大漏极源极电压可达30V,适合于中低电压应用。

  • 最大漏极电流(I_D):在室温条件下,FDN338P的最大漏极电流为1.5A。这个参数使其适合作为开关元件,通过控制漏极电流来驱动负载。

  • 栅源阈值电压(V_GS(th)):FDN338P的栅源阈值电压范围通常在0.8V到2.0V之间,这表明其在较低栅电压下即能进入导通状态,非常适合与微控制器(MCU)或其他低电压控制电路配合使用。

  • R_DS(on):在V_GS为10V的条件下,FDN338P的导通阻抗(R_DS(on))小于0.05Ω,确保在导通状态下能够提供高效的电流传输和低功耗的特性。

4. 应用领域

FDN338P广泛应用于以下领域:

  • 开关电源:在开关电源中用作开关元件,以实现高效率的能量转换和管理。

  • 电池管理系统(BMS):作为电流控制元件,实现对电池组的保护和监测功能,保证电池的安全性和性能。

  • LED驱动:在LED照明系统中,FDN338P能够高效控制LED灯的开启和关闭,有助于降低能耗。

  • 电机驱动:在小型电机驱动电路中,FDN338P可用作开关,控制电机的启停及转速。

  • 便携产品:例如智能手机、平板和其他便携式设备中,FDN338P由于其低功耗特性,非常适用于电源管理和信号开关应用。

5. 性能优势

FDN338P在多个方面具备显著的性能优势:

  • 小型化设计:由于采用SOT-23封装,FDN338P适合需要小型化、高集成度的现代电子产品。
  • 高效能:凭借低导通电阻和低栅源阈值电压,FDN338P能够在较低的电压下高效工作,降低整体功耗。
  • 易于驱动:适合与低压系统对接的设计,使其在自动化照明、嵌入式系统等领域具有良好的兼容性。

6. 结论

FDN338P是TECH PUBLIC(台舟电子)推出的一款高性能N沟道MOSFET,凭借其小型化的SOT-23封装、出色的电气特性和广泛的应用能力,成为现代电子设计中不可或缺的重要元件。无论是在消费者电子、工业控制还是高科技产品中,FDN338P凭借其优良的性能确保了设计的灵活性和高效性,助力电子产品向更轻薄、智能的方向发展。