
| 晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 600mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 160V | 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 直流电流增益(hFE) | 80@1mA,5V | 特征频率(fT) | 100MHz |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 200mV |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
| 数量 | 1个NPN |
MMBT5551是一款小型的NPN型三极管,广泛应用于各种电子设备和电路中。该器件的额定功率为300mW,能够承受高达160V的集电极-发射极电压(Vce),最大集电极电流可达600mA,适合中小功率的开关和放大应用。MMBT5551采用SOT-23封装,使其具备出色的散热性能和空间利用率,同时便于在印刷电路板(PCB)上进行布置。
MMBT5551广泛应用于多个领域,包括但不限于:
作为NPN型三极管,MMBT5551的工作原理可通过以下几个要点理解:
在使用MMBT5551进行电路设计时,设计工程师需要考虑多个方面:
MMBT5551是一款性能卓越、应用广泛的NPN型三极管,其优势在于出色的电流承载能力和高工作电压,使其适合于多种电路设计需求。在选择和使用该元器件时,需充分理解其工作特性及应用环境,以充分发挥其优势,确保电路的稳定可靠。无论是在消费者电子、通信设备还是在工业自动化领域,MMBT5551都能发挥重要作用,帮助实现高效的电子设计。