晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 100mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 250mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 200@2mA,5V | 特征频率(fT) | 250MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 5uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@100mA,5mA |
工作温度 | -65℃~+150℃ |
BCM847DS,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 NPN/NPN 匹配双晶体管。该器件采用表面贴装(SMD)技术,封装类型为 SC-74(SOT-457),具备卓越的电气性能和稳定性。该晶体管广泛应用于模拟和数字电路,包括放大器、开关电源、电流源等场合。
BCM847DS,115 的设计特点确保了其在众多应用中的灵活性和可靠性。以下是该产品的一些主要特点:
双 NPN 配对设计: 这种设计提高了元器件之间的匹配性,适合于需要高精度放大或开关特性的应用。
低饱和压降: 在高电流下,400mV 的饱和压降使得该晶体管在开关应用时的能量损耗最低,从而提升了整体效率。
宽工作电压范围: 具备高达 45V 的集射极击穿电压,BCM847DS,115 可以方便地用于各类高电压电路中。
高频特性: 250MHz 的跃迁频率使得此晶体管适合用于高频信号处理应用,例如射频放大器和开关电路。
极低的集电极截止电流: 最高仅为 15nA 的 ICBO,确保了器件在处于关闭状态时的良好性能,有助于减少静态功耗和提升电路的整体能效。
高工作温度: 150°C 的工作温度范围使得 BCM847DS,115 能够在极端环境下稳定工作,适用于汽车、工业和消费类电子设备。
BCM847DS,115 可广泛应用于多种电子设备中,包括但不限于:
综上所述,BCM847DS,115 是一款技术先进的 NPN/NPN 匹配双晶体管,其在低功耗、高频及高精度应用中表现优异,适用于各类电路设计。在选择合适的电子元件时,BCM847DS,115 的高可靠性和灵活性使其成为工程师们的理想选择。这款产品能够有效满足现代电子产品对性能和效率的严苛要求,是您电子设计中的重要组成部分。