
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 50V |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 输入电容(Ciss) | 27pF |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
BSS138W是一款广泛使用的N沟道增强型场效应管(MOSFET),其主要特性包括较低的导通电阻和高效的开关性能。该器件可以在300mW的功率范围内运行,适用于50V的电压环境,能够承受最大220mA的漏极电流。BSS138W采用SOT-323封装,适合用于各种空间有限的应用,如移动设备和便携式电子产品。
BSS138W因其优越的电气性能,广泛应用于多个场景,包括:
在应用中,BSS138W可以形成简单的开关电路。下图显示了一个使用BSS138W作为开关的基本电路:
该电路因其简单性和高效性的特点,得到了广泛的推广。
BSS138W是一款高效、可靠的小型N沟道MOSFET,适用于多种电子应用,包含低功耗开关、逻辑电平转换和电源管理。凭借其优异的性能参数和小巧的SOT-323封装,BSS138W能够满足现代电子设计对空间和性能的严格要求,是电子工程师在设计中值得选择的优质元器件。随着电子技术的不断发展,BSS138W将继续在新的前沿应用中发挥重要作用。