类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 55V |
连续漏极电流(Id) | 17A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 75mΩ@10V,10A |
功率(Pd) | 45W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 20nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 370pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 65pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRFU024NPBF 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),由知名半导体制造商英飞凌(Infineon)生产。该器件具有优异的电气特性,适合多种电子电路应用,尤其是在功率开关、DC-DC 变换器和电机驱动等领域。
电压及电流规格:
电导特性:
驱动电压:
栅极电荷(Qg):
输入电容(Ciss):
功率损耗:
工作温度范围:
IRFU024NPBF采用TO-251(IPAK)封装,具有短引线设计。这种封装形式不仅确保了良好的散热性能,同时也方便了PCB的布局与安装。通孔安装类型使得集成过程更加简便,适配多种电路板设计。
IRFU024NPBF因其高效能和可靠性,广泛应用于:
IRFU024NPBF是一款性能卓越的N通道MOSFET,凭借其出色的电气特性、较高的功率耗散能力及宽广的工作温度范围,使其在多种应用中表现出色。无论是在功率转换、电机驱动,还是高温环境下的稳定性需求方面,该器件都能够满足设计师的要求,是许多电子电路设计中的理想选择。