IRFU024NPBF 产品实物图片
IRFU024NPBF 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRFU024NPBF

商品编码: BM0221321706
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-251AA(IPAK)
包装 : 
管装
重量 : 
1.057g
描述 : 
场效应管(MOSFET) IRFU024NPBF TO-251(IPAK)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.8
按整 :
管(1管有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.8
--
100+
¥1.44
--
750+
¥1.29
--
1500+
¥1.21
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFU024NPBF参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)17A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)75mΩ@10V,10A
功率(Pd)45W阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)20nC输入电容(Ciss@Vds)370pF
反向传输电容(Crss@Vds)65pF工作温度-55℃~+175℃

IRFU024NPBF手册

IRFU024NPBF概述

产品概述:IRFU024NPBF N通道MOSFET

一、简介

IRFU024NPBF 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),由知名半导体制造商英飞凌(Infineon)生产。该器件具有优异的电气特性,适合多种电子电路应用,尤其是在功率开关、DC-DC 变换器和电机驱动等领域。

二、主要特性

  1. 电压及电流规格

    • 漏源电压(Vdss): 55V
    • 连续漏极电流(Id):在25°C温度下,可以达到17A(Tc)。
  2. 电导特性

    • 最大导通电阻(Rds(on)): 75毫欧(@10A,10V),这意味着在正常工作状态下,器件具有很低的导通损耗,能有效提高电路效率并降低热量产生。
    • 栅源阈值电压(Vgs(th)): 最大值为4V(@ 250µA),适合多种逻辑电平控制的应用。
  3. 驱动电压

    • 支持的驱动电压在±20V范围内。这种宽电压范围使得该器件可以与多种控制电路兼容,从而简化设计。
  4. 栅极电荷(Qg)

    • 最大栅极电荷为20nC(@ 10V)。低栅极电荷意味着器件响应速度快,有助于提高开关频率,从而增强整体电路的性能。
  5. 输入电容(Ciss)

    • 在25V时,输入电容最大值为370pF。相对较低的电容值使得器件在高频下也能维持良好的性能。
  6. 功率损耗

    • 最大功率耗散为45W(Tc)。这一特性使得该MOSFET可以在高功率应用中持续稳定工作,而不易遭遇过热问题。
  7. 工作温度范围

    • 器件操作温度范围为-55°C至175°C(TJ),非常适合在极端环境下使用,这使得IRFU024NPBF成为汽车、工业及航空航天等领域的理想选择。

三、封装与安装

IRFU024NPBF采用TO-251(IPAK)封装,具有短引线设计。这种封装形式不仅确保了良好的散热性能,同时也方便了PCB的布局与安装。通孔安装类型使得集成过程更加简便,适配多种电路板设计。

四、应用场景

IRFU024NPBF因其高效能和可靠性,广泛应用于:

  • 电源管理:在DC-DC转换器及线性稳压电源中,提供高效的开关性能。
  • 电机控制:适用于驱动各类电机的控制电路,确保高效能与持久稳定性。
  • 汽车电子:在电动汽车及混合动力汽车中,该器件可用于电池管理系统及运算电路,支持高功率负载应用。
  • 消费电子产品:在需要高效能与长时间运行的产品中(如电动工具、家用电器等)也有广泛的应用。

五、总结

IRFU024NPBF是一款性能卓越的N通道MOSFET,凭借其出色的电气特性、较高的功率耗散能力及宽广的工作温度范围,使其在多种应用中表现出色。无论是在功率转换、电机驱动,还是高温环境下的稳定性需求方面,该器件都能够满足设计师的要求,是许多电子电路设计中的理想选择。