类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 60A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7mΩ@10V,60A |
功率(Pd) | 68W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 260nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 11nF@40V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 700pF@40V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
SQJ409EP-T1_GE3 是一款高性能 P 通道 MOSFET,专为需要高效率和高功率密度的汽车应用设计。其主要特性包括:额定漏源电压为 40V,连续漏极电流可达 60A,具备非常低的导通电阻和优异的热性能,广泛适用于电源管理、马达驱动和负载开关等领域。
SQJ409EP-T1_GE3 的主要参数如下:
SQJ409EP-T1_GE3 采用 PowerPAK® SO-8 封装,该封装设计经过优化,以提高散热性能并减少占用空间。其表面贴装式设计便于自动化焊接,适合现代电子制造工艺。
得益于其优异的性能和可靠性,SQJ409EP-T1_GE3 在汽车电子领域有着广泛的应用,例如:
此外,由于其 AEC-Q101 认证,SQJ409EP-T1_GE3 还可用于对温度和可靠性有严格要求的汽车应用,确保产品在严苛环境下的稳定运行。
SQJ409EP-T1_GE3 是一款高效能、可靠性强的 P 通道 MOSFET,适合多种汽车应用。其低导通电阻、宽工作温度范围和优异的电气特性,使其成为电源管理、马达驱动及负载开关的理想选择。选择 VISHAY 的 SQJ409EP-T1_GE3,您将能在设计中实现更高的效率和更小的体积,提高整体系统的性能,满足现代汽车对电气性能的严格要求。