FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A(Ta),40A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 9.7 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 14µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 24nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1900pF @ 20V |
功率耗散(最大值) | 2.1W(Ta),35W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-TSDSON-8 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
BSZ097N04LSGATMA1 是一款高效能的 N 通道 MOSFET,采用了先进的 OptiMOS™ 技术,能够在多种应用场景中提供卓越的性能。此器件具有 40V 的漏源电压(Vdss)能力,适合用于高效的同步整流解决方案,广泛应用于开关电源(SMPS)、工业电机控制以及快速切换的 DC-DC 转换器等领域。
电流与功率:
导通电阻:
栅极电压特性:
电气特性:
温度范围与可靠性:
总之,BSZ097N04LSGATMA1 是一款令人瞩目的 N 通道 MOSFET,其卓越的电流承载能力、低导通电阻、宽广的工作温度范围和良好的开关特性,使其成为开关电源和工业应用的理想选择。凭借 Infineon 领先的 OptiMOS™ 技术,该器件在保障电路高效能与稳定性的同时,能够满足不断增长的高能效标准,助力各种现代电子设备的发展。