GD25Q128EWIGR 产品实物图片
GD25Q128EWIGR 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

GD25Q128EWIGR

3000-150
商品编码: BM0222182096
品牌 : 
Gigadevice(北京兆易创新)
封装 : 
8-WDFN 裸露焊盘
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
NOR FLASH 133MHz -40℃~+85℃ 128Mbit 2.7V~3.6V WSON-8-EP(5x6)
库存 :
3(起订量1,增量1)
批次 :
25+
数量 :
X
5.14
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥5.14
--
100+
¥4.28
--
750+
¥3.97
--
1500+
¥3.77
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

GD25Q128EWIGR参数

存储容量128Mbit时钟频率(fc)133MHz
工作电压2.7V~3.6V工作温度-40℃~+85℃

GD25Q128EWIGR手册

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无数据

GD25Q128EWIGR概述

GD25Q128EWIGR 产品概述

一、产品简介

GD25Q128EWIGR 是由 GigaDevice Semiconductor(香港有限公司)推出的一款高性能 NOR 闪存器件。作为一款非易失性存储器,GD25Q128EWIGR 采用先进的 SPI(串行外设接口)四 I/O 接口技术,具备高达 133 MHz 的时钟频率,适用于快速数据存储和处理需求。该产品具有 128 Mb(16M x 8)的存储容量,非常适合用于各种应用场景。

二、产品特点

  1. 高容量与高性能:GD25Q128EWIGR 的存储容量为 128 Mb(16M x 8),可以满足对大数据量存储的需求。同时, 访问时间高达 7 ns,写周期时间为 70 µs(字)和 2.4 ms(页),保证了存取数据的高效率。

  2. 宽电压范围:该器件的供电电压范围为 2.7V 到 3.6V,适应多种电源设计需求,确保在不同的应用环境中都能正常运行。

  3. 工作温度范围:GD25Q128EWIGR 的工作温度范围为 -40°C 到 +85°C,使其不仅适合于室温环境,而且支持工业级应用,能够在严苛条件下稳定工作。

  4. 小型封装:该产品采用 8-WDFN(裸露焊盘,5x6 mm)封装,体积小巧,适合于对空间要求严格的电子产品设计。

  5. 广泛的应用:GD25Q128EWIGR 可广泛应用于汽车电子、物联网设备、消费电子、工业控制、网络和通信等领域,特别是在需要大容量存储和快速存取的场合。

三、技术参数

  • 制造商:GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 存储器类型:非易失性闪存
  • 存储格式:FLASH - NOR
  • 接口类型:SPI - 四 I/O
  • 时钟频率:最高可达 133 MHz
  • 写周期时间:70 µs (字),2.4 ms (页)
  • 访问时间:7 ns
  • 供电电压:2.7V ~ 3.6V
  • 操作温度范围:-40°C ~ 85°C
  • 封装类型:8-WDFN(裸露焊盘)

四、应用场景

GD25Q128EWIGR 的广泛应用涵盖多个领域:

  • 汽车电子:在汽车的控制单元中,用于存储配置数据和操作系统。
  • 物联网设备:在物联网传感器和执行器中,为监控与控制过程提供数据存储。
  • 消费电子:用于智能手机、平板电脑等设备的固件更新和数据存储。
  • 工业控制:在制造业中,用于机器控制和数据记录系统。
  • 网络与通信设备:为路由器、交换机等设备提供快速的数据存取方案。

五、总结

GD25Q128EWIGR 是一款集高性能、高容量和广泛应用于一体的 NOR 闪存器件。凭借其优越的技术参数和可靠的工作性能,它为现代电子产品的设计与开发提供了强有力的支持。无论是在消费电子、工业控制还是物联网等领域,该产品都是一个值得信赖的选择,为用户带来优质的存储解决方案。