存储容量 | 128Mbit | 时钟频率(fc) | 133MHz |
工作电压 | 2.7V~3.6V | 工作温度 | -40℃~+85℃ |
GD25Q128EWIGR 是由 GigaDevice Semiconductor(香港有限公司)推出的一款高性能 NOR 闪存器件。作为一款非易失性存储器,GD25Q128EWIGR 采用先进的 SPI(串行外设接口)四 I/O 接口技术,具备高达 133 MHz 的时钟频率,适用于快速数据存储和处理需求。该产品具有 128 Mb(16M x 8)的存储容量,非常适合用于各种应用场景。
高容量与高性能:GD25Q128EWIGR 的存储容量为 128 Mb(16M x 8),可以满足对大数据量存储的需求。同时, 访问时间高达 7 ns,写周期时间为 70 µs(字)和 2.4 ms(页),保证了存取数据的高效率。
宽电压范围:该器件的供电电压范围为 2.7V 到 3.6V,适应多种电源设计需求,确保在不同的应用环境中都能正常运行。
工作温度范围:GD25Q128EWIGR 的工作温度范围为 -40°C 到 +85°C,使其不仅适合于室温环境,而且支持工业级应用,能够在严苛条件下稳定工作。
小型封装:该产品采用 8-WDFN(裸露焊盘,5x6 mm)封装,体积小巧,适合于对空间要求严格的电子产品设计。
广泛的应用:GD25Q128EWIGR 可广泛应用于汽车电子、物联网设备、消费电子、工业控制、网络和通信等领域,特别是在需要大容量存储和快速存取的场合。
GD25Q128EWIGR 的广泛应用涵盖多个领域:
GD25Q128EWIGR 是一款集高性能、高容量和广泛应用于一体的 NOR 闪存器件。凭借其优越的技术参数和可靠的工作性能,它为现代电子产品的设计与开发提供了强有力的支持。无论是在消费电子、工业控制还是物联网等领域,该产品都是一个值得信赖的选择,为用户带来优质的存储解决方案。