
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 18A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V,18A |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF |
| 类型 | P沟道 |
| 输出电容(Coss) | 590pF |
UTT18P10L-TN3-R 是一款由友顺(UTC)生产的 P 沟道场效应管(MOSFET),其封装形式为 TO-252-2(DPAK)。该器件的额定功率为 150W,支持最大工作电压 100V 和最大电流 18A,广泛应用于电源管理、开关电路及放大器电路等领域。
良好的热性能:UTT18P10L-TN3-R 采用的 TO-252-2 封装极大增大了散热表面积,保证了在高功率下的热管理,确保器件能够稳定工作。
高开关频率:此MOSFET具有较低的导通电阻和高开关速度,能够在高频率下稳定开关,提升电源转换效率,特别适合于高效 DC-DC 转换器应用。
高电流承载能力:18A 的峰值电流支持高负载需求,能够为电机驱动、功率放大和其他高功率应用提供稳定的电源。
抗干扰能力:P沟道设计可有效降低电路中可能出现的电气干扰,使得系统在不稳定环境下依然保持高效能。
多种应用:广泛用于开关电源、直流电机驱动、LED灯控制、高频逆变器等各种电子产品中。
UTT18P10L-TN3-R 适用于多种场合,特别是在以下领域表现卓越:
随着电子产品向高效能、低能耗方向发展,P沟道 MOSFET 作为关键的电源开关元件,市场需求不断增长。UTT18P10L-TN3-R 凭借其在高效能和高可靠性方面的优异表现,有望在未来的电子元器件市场中占据一席之地。
总的来说,UTT18P10L-TN3-R 是一款性能优异、适应性强的 P 沟道 MOSFET,凭借其出色的技术参数和多种应用前景,无论是在事业研发还是在实际应用中都具备极高的价值。