类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 130A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.2mΩ@10V |
功率(Pd) | 140W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 63.7nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 5.298nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 74.8pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
CJAC13TH06是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),其额定功率可达140W,工作电压高达60V,瞬时电流可达到130A。这款产品采用PQFNWB-8L (5x6)封装,具有卓越的散热性能和较小的占板面积,非常适合用于各种高功率和高频率的电子应用。CJAC13TH06在性能和可靠性方面表现出色,深受设计工程师的青睐。
CJAC13TH06的设计旨在提供极高的开关速度和良好的热管理能力。场效应管主要通过其最小化的导通电阻(RDS(on))来提高能效,降低能耗。该元件设计中加入了优秀的散热结构,确保在高功率情况下的稳定运行,适用于长时间高强度工作环境下的电子设备。此外,该MOSFET具有优异的热阻,能够有效地管理热量,避免过热导致的失效。
CJAC13TH06在多个工业和消费类设备中拥有广泛的应用,尤其是在以下领域表现突出:
在当前市场中,CJAC13TH06凭借以下优势能够脱颖而出:
总的来说,CJAC13TH06是一款兼具高性能与高效率的N沟道MOSFET,适用于各种要求严苛的电子应用领域。无论是在电力管理、电机驱动还是汽车电子领域,其卓越的性能和可靠性使其成为设计工程师的理想选择。在未来,随着电子装置对高效能、高可靠性的持续需求,CJAC13TH06必将在市场中占据更加重要的地位。