类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 280mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.1Ω@4.5V,0.2A |
功率(Pd) | 780mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.3nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 32pF@50V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 1.7pF@50V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
制造商与品牌
BSS123K-TP 是由 Micro Commercial Co(美微科)生产的一款高性能 N 通道 MOSFET。这款 MOSFET 采用紧凑的 SOT-23 封装,满足现代电子设备对小型化和高性能的需求。
基本特性与参数
BSS123K-TP MOSFET 的主要参数如下:
电气特性
BSS123K-TP 的电气特性让该器件在多个应用领域中占有一席之地。其最大输入电容 (Ciss) 为 60pF,栅极电荷 (Qg) 最大为 2nC,这表明设备具有快速的开关速度,适合于快速开关电路设计,例如 DC-DC 转换器和功率放大器电路。
封装与安装
BSS123K-TP 采用 SOT-23 封装(TO-236-3,SC-59,SOT-23-3),该封装形式不仅小巧,而且适合表面贴装技术(SMT),使得其在现代高密度电路板上的应用更加方便。由于其小型化的特性,它适合于各种便携式电子设备,如手机、平板电脑及其他消费类电子产品等。
应用领域
BSS123K-TP MOSFET 由于其卓越的性能,可广泛应用于以下领域:
总结
总体而言,BSS123K-TP N 通道 MOSFET 是一款多功能、高效率的电子元件,凭借其优异的电气和热特性,使其在当今技术日益发展的领域中能够满足各种应用需求。其优越的性价比和稳定性使其成为设计师和工程师的优选,能够广泛应用于低功耗、高密度和高频率的电子产品中。