
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 12A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 4.8W |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V |
| 输入电容(Ciss) | 1.55nF |
| 反向传输电容(Crss) | 278pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
AP15P03Q是由国际知名品牌ALLPOWER(铨力)推出的一款高性能P沟道场效应管(MOSFET),其典型电气特性使其在多种电子应用中具备优越的表现和广泛的适用性。该产品的额定功率为900mW,工作电压可达30V,负载电流高达12A,采用紧凑的DFN封装(3x3mm),旨在为现代电子设备提供高效、可靠的开关控制解决方案。
功率与电流处理能力:
电气特性:
封装与尺寸:
简单的驱动特性:
AP15P03Q的高性能电气特性和便利的电气特性使其适用于广泛的应用领域:
电源管理:
电机驱动:
LED驱动:
便携式设备:
信号切换与分配:
AP15P03Q P沟道场效应管(MOSFET)是一款特性优越且应用广泛的电子元器件,凭借其900mW的功率等级、30V的最大工作电压、12A的漏电流能力以及DFN(3x3mm)封装形式,成功满足了现代电子产品对高效、低功耗、空间紧凑的需求。其多样的应用领域证明了该器件的广泛适用性与发掘潜力,适合行业内的各类设计和应用需求,是工程师在选择功率开关时的重要考虑之一。
选择AP15P03Q,您将获得不仅是一个元件,更是一种高效、可靠的解决方案,助力您的项目取得成功。