NTS2101PT1G

产品概述：NTS2101PT1G P沟道MOSFET

1. 概述

NTS2101PT1G是一款由ON Semiconductor（安森美）制造的高性能P沟道MOSFET，采用表面贴装型(SMD)封装SC-70(SOT-323)。这款场效应管设计用于各种低功耗应用，具备良好的电流处理能力和低导通电阻，广泛应用于电源管理、开关电路和信号调节等领域。

2. 基本特性

• 制造商：ON Semiconductor
• 产品型号：NTS2101PT1G
• 封装：SOT-323 (SC-70)
• 元器件状态：活跃
• FET 类型：P 通道 MOSFET
• 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
• 电流 - 连续漏极 (Id)：1.4A（在25°C时）

3. 电气参数

• 漏源电压 (Vdss)：最高8V，适合低电压环境
• 驱动电压（Vgs）：最大±8V
• 导通电阻（Rds On）：
  • 最大100毫欧 @ 1A，4.5V，表明其优异的电流传导能力，从而降低功耗
• 栅极阈值电压 (Vgs(th))：最大700mV @ 250µA，保证在较低电压下即可开启，适合低电压应用
• 功率耗散：最大可达290mW，提供较强的散热能力
• 栅极电荷 (Qg)：最大6.4nC @ 5V，确保快速开关性能
• 输入电容 (Ciss)：最大640pF @ 8V，影响开关速度和驱动需求

4. 应用场景

NTS2101PT1G因其低导通电阻和合适的漏源电压，适用于如下应用：

• 电源管理：可用作开关电源、直流-直流转换器，提升转换效率。
• 便携式设备：由于其小型封装和低功耗特性，适合手机、平板以及其他便携电子设备。
• 音频设备：在高保真音频放大器中，作为开关元件以实现精准的信号控制。
• LED驱动：能够高效控制LED灯的开关，提升照明效率和延长产品寿命。
• 电机驱动：在小型电机控制中，能够提供高效的开关效率。

5. 性能优势

• 高效性：凭借低Rds On特性，NTS2101PT1G在工作时展现出极低的功耗，适合长时间运行。
• 温度范围：扎实的工作温度范围使此产品在严苛环境中也能稳定运行，适用于工业应用。
• 小型化设计：SOT-323封装可减少电路板空间，使得设计更为紧凑，尤其适合现代电子产品的需求。

6. 结论

NTS2101PT1G是一款高效能、低功耗的小型P沟道MOSFET，专为多种低电压应用设计。其卓越的电气性能和广泛的工作温度范围，使其在电源管理、便携设备以及更多领域都具备极大的应用潜力。通过选择NTS2101PT1G，设计人员能够在创建高效、可靠的电子设备时提供更好的解决方案。