类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 55A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8.4mΩ@4.5V,10A |
功率(Pd) | 50W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 30nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.259nF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 282pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
CJAB55P03A是一款高性能P型场效应管(MOSFET),由江苏长电(CJ)公司制造。该产品的设计旨在满足现代电子设备对高效、高可靠性和低功耗的需求。其重要参数包括低导通电阻6.5mΩ(在10V栅极驱动电压下),最高可承受30V的电压,承载55A的电流,这使得CJAB55P03A在多种应用中表现出色。
CJAB55P03A广泛应用于多个领域,包括但不限于:
CJAB55P03A采用PDFNWB-8L(3.3mm x 3.3mm)封装,这种封装形式不仅有助于节省空间,还能优化散热性能。PDFN(无引线扁平封装)有效地降低了引线电感和寄生电容,适合高频及高电流应用。
CJAB55P03A作为一款高效能的P型MOSFET,凭借其出色的导通电阻、高耐压值和强劲的电流承载能力,为我公司的消费电子、电力管理与电机控制等多种应用提供了解决方案。其紧凑的封装及良好的热性能,使得在现代电子设计中更具适用性。而长电作为品牌的保障,使得CJAB55P03A在竞争中更具优势。
对于在寻找高性能P沟道MOSFET的工程师和设计师,CJAB55P03A无疑是一个值得考虑的优秀选择,适应未来电源和驱动应用的发展趋势。