WSD30L90DN56 产品实物图片
WSD30L90DN56 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

WSD30L90DN56

商品编码: BM0225222365
品牌 : 
WINSOK(微硕)
封装 : 
PDFN-8(5.2x6.2)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 40W 30V 90A 1个P沟道 PDFN-8(5.2x6.2)
库存 :
9295(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.93
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.93
--
100+
¥1.55
--
1250+
¥1.38
--
2500+
¥1.3
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

WSD30L90DN56参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)90A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.2mΩ@10V,25A
功率(Pd)40W阈值电压(Vgs(th)@Id)1.3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)70nC@10V输入电容(Ciss@Vds)3.2nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)600pF@15V工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

WSD30L90DN56手册

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WSD30L90DN56概述

WSD30L90DN56 产品概述

概要

WSD30L90DN56 是由微硕(WINSOK)出品的一款高性能场效应管(MOSFET),属于P沟道类型。该器件以其出色的电气特性和紧凑的封装设计,广泛应用于各种高功率电子设备中。

基础参数

  • 功率(Pd): 40W
  • 反向传输电容(Crss@Vds): 600pF @ 15V
  • 商品分类: 场效应管(MOSFET)
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id): 5.2mΩ @ 10V, 25A
  • 工作温度: -55℃ ~ +150℃ (@ Tj)
  • 栅极电荷(Qg@Vgs): 70nC @ 10V
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 类型: 1个 P沟道
  • 输入电容(Ciss@Vds): 3.2nF @ 15V
  • 连续漏极电流(Id): 90A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.3V @ 250uA

封装和品牌

  • 品牌: 微硕(WINSOK)
  • 封装: PDFN-8(5.2x6.2)

电气特性

导通电阻(RDS(on))

WSD30L90DN56 具有极低的导通电阻,仅为 5.2mΩ @ 10V 和 25A。这意味着在导通状态下,器件会产生非常少的热量和能量损失,使其特别适合高频和高功率应用。

连续漏极电流(Id)

该器件支持高达 90A 的连续漏极电流,这使得它能够处理大规模的电流需求,适用于需要高电流驱动的系统,如电动车、工业控制设备等。

阈值电压(Vgs(th))

阈值电压为 1.3V @ 250uA,这表明该MOSFET在较低的栅极电压下就可以进入导通状态,提高了系统的整体效率和灵活性。

工作温度范围

WSD30L90DN56 的工作温度范围从 -55℃ 到 +150℃,这使得它能够在极端环境下稳定运行,适用于各种苛刻的工业和汽车应用。

应用场景

电动车和新能源汽车

由于其高电流和低导通电阻,WSD30L90DN56 非常适合用于电动车和新能源汽车中的驱动系统,能够提高整车的效率和续航里程。

工业控制设备

在工业控制领域,高功率和高频率是常见需求。WSD30L90DN56 的出色性能使其成为工业控制设备如变频器、伺服驱动器等的理想选择。

电源管理系统

在电源管理系统中,低导通电阻和高电流能力是关键指标。WSD30L90DN56 可以用于高效能电源供应器、DC-DC转换器等应用中。

汽车电子系统

汽车电子系统对可靠性和耐用性有非常高的要求。WSD30L90DN56 的宽工作温度范围和高性能特性,使其成为汽车电子系统如启动系统、燃油喷射系统等的优选器件。

封装优势

PDFN-8 封装

WSD30L90DN56 采用紧凑的 PDFN-8 封装(5.2x6.2),这不仅减少了 PCB 布局空间,还提高了散热效率。这种封装设计使得器件更容易集成到各种紧凑型设备中。

总结

WSD30L90DN56 是一款高性能 P沟道 MOSFET,通过其低导通电阻、宽工作温度范围和高连续漏极电流等特性,广泛应用于电动车、工业控制设备、电源管理系统以及汽车电子系统等领域。其紧凑的 PDFN-8 封装进一步增强了其在现代电子设计中的实用性和灵活性。对于需要高效能、高可靠性的电子系统,WSD30L90DN56 是一个值得考虑的选择。