类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 90A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5.2mΩ@10V,25A |
功率(Pd) | 40W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 70nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.2nF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 600pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
WSD30L90DN56 是由微硕(WINSOK)出品的一款高性能场效应管(MOSFET),属于P沟道类型。该器件以其出色的电气特性和紧凑的封装设计,广泛应用于各种高功率电子设备中。
WSD30L90DN56 具有极低的导通电阻,仅为 5.2mΩ @ 10V 和 25A。这意味着在导通状态下,器件会产生非常少的热量和能量损失,使其特别适合高频和高功率应用。
该器件支持高达 90A 的连续漏极电流,这使得它能够处理大规模的电流需求,适用于需要高电流驱动的系统,如电动车、工业控制设备等。
阈值电压为 1.3V @ 250uA,这表明该MOSFET在较低的栅极电压下就可以进入导通状态,提高了系统的整体效率和灵活性。
WSD30L90DN56 的工作温度范围从 -55℃ 到 +150℃,这使得它能够在极端环境下稳定运行,适用于各种苛刻的工业和汽车应用。
由于其高电流和低导通电阻,WSD30L90DN56 非常适合用于电动车和新能源汽车中的驱动系统,能够提高整车的效率和续航里程。
在工业控制领域,高功率和高频率是常见需求。WSD30L90DN56 的出色性能使其成为工业控制设备如变频器、伺服驱动器等的理想选择。
在电源管理系统中,低导通电阻和高电流能力是关键指标。WSD30L90DN56 可以用于高效能电源供应器、DC-DC转换器等应用中。
汽车电子系统对可靠性和耐用性有非常高的要求。WSD30L90DN56 的宽工作温度范围和高性能特性,使其成为汽车电子系统如启动系统、燃油喷射系统等的优选器件。
WSD30L90DN56 采用紧凑的 PDFN-8 封装(5.2x6.2),这不仅减少了 PCB 布局空间,还提高了散热效率。这种封装设计使得器件更容易集成到各种紧凑型设备中。
WSD30L90DN56 是一款高性能 P沟道 MOSFET,通过其低导通电阻、宽工作温度范围和高连续漏极电流等特性,广泛应用于电动车、工业控制设备、电源管理系统以及汽车电子系统等领域。其紧凑的 PDFN-8 封装进一步增强了其在现代电子设计中的实用性和灵活性。对于需要高效能、高可靠性的电子系统,WSD30L90DN56 是一个值得考虑的选择。