晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 5A |
集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 功率(Pd) | 15W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 200@500mA,2V | 特征频率(fT) | 400MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 1uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 135mV@2A,100mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
2SC5706-TL-H 是由 ON Semiconductor 制造的一款高性能 NPN 双极晶体管(BJT),适用于各种高电流和高功率应用。以下是对此产品的详细介绍。
2SC5706-TL-H 是一款高性能的 NPN 双极晶体管,封装在 TO-252-3 的 DPak 外壳中。这种封装形式提供了良好的散热性能和紧凑的尺寸,非常适合需要高电流和高功率处理能力的应用。
2SC5706-TL-H 是一款功能强大的 NPN 双极晶体管,通过其高集电极电流、低饱和压降和高频响应等特点,广泛应用于各种高性能电子设备中。对于需要高可靠性和高功率处理能力的项目,这款晶体管是一个理想的选择。然而,用户应注意其不適用於新設計的状态,并根据实际需求进行详细评估。