ESD9B5VL 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ESD9B5VL

商品编码: BM0225773389复制
品牌 : 
TECH PUBLIC(台舟电子)复制
封装 : 
DFN1006-2复制
包装 : 
编带复制
重量 : 
复制
描述 : 
静电和浪涌保护(TVS/ESD)复制
库存 :
6743(起订量1,增量1)复制
批次 :
两年内复制
数量 :
X
0.109
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.109
--
10000+
¥0.089
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

ESD9B5VL参数

极性双向反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压12V峰值脉冲电流(Ipp)3A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)35W@8/20us击穿电压8.4V
反向电流(Ir)80nA通道数单路
工作温度-55℃~+125℃防护等级IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型ESDCj-结电容5pF

ESD9B5VL手册

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无数据

ESD9B5VL概述

ESD9B5VL — 静电与浪涌保护二极管(TVS/ESD)

一、产品简介

ESD9B5VL 是台舟电子(TECH PUBLIC)推出的一款小型双向瞬态电压抑制器,专为对抗静电放电(ESD)和雷击/浪涌(Surge)冲击而设计。器件封装为 DFN1006-2,单路、双向极性,适用于空间受限且对信号完整性要求较高的应用场景,可在工业级温度范围内稳定工作(-55℃ ~ +125℃)。

二、主要电气参数

  • 钳位电压(Vc,典型):12 V
  • 反向稳态电压(Vrwm):5 V
  • 击穿电压(Vbr):8.4 V
  • 峰值脉冲功率:35 W @ 8/20 μs
  • 峰值脉冲电流(Ipp):3 A @ 8/20 μs
  • 反向漏电流(Ir):80 nA(常温)
  • 结电容(Cj):约 5 pF
  • 通道数:单路;极性:双向
  • 工作温度:-55 ℃ ~ +125 ℃
  • 防护等级:符合 IEC 61000-4-5(浪涌)与 IEC 61000-4-2(ESD)

三、特性与优势

  • 低钳位电压(12 V),在冲击事件中能有效限制线路电压,保护下游器件。
  • 低结电容(5 pF),对高速、差分或敏感模拟信号线几乎无可感知的影响,适合高速接口保护。
  • 双向结构适用于信号可正负摆动的场合(如差分对、通讯口),无需考虑极性方向。
  • 支持 IEC 标准的 ESD 与浪涌试验,可靠性高,适合工业与商用环境使用。
  • DFN1006-2 超小封装,便于密集板级集成与成本优化。

四、典型应用场景

  • 5 V 供电和信号系统的端口保护(USB、GPIO、电源线等)
  • 高速数据线与差分接口(当信号幅值范围在 Vrwm 附近或可双向摆动时)
  • 工业控制、仪表、POS、通讯设备、便携电子产品的外部接口防护
  • 需要低电容且对板面空间敏感的应用,如摄像头接口、触控接口等

五、布局与使用建议

  • 器件应尽量靠近受保护的连接器或外部接口放置,以缩短未保护引线长度,减少寄生感抗和回路面积。
  • 对于双向 TVS,输入与被保护线对称连接,确保信号路径连续且阻抗匹配。
  • 在高速差分线保护时,保持 TVS 与线间的最短走线,并避免形成环路。
  • DFN1006-2 焊盘设计应参考制造商推荐的焊盘尺寸并注意回流焊工艺控制,确保焊点可靠性。

六、可靠性与选型注意事项

  • 器件在规定的功率脉冲(8/20 μs)条件下能承受 35 W 峰值功率,峰值电流 3 A。选择时应评估系统遭遇的大电流/大能量事件频率及能量水平。
  • 反向漏电流 80 nA 表明在静态工作点上对电路漏电影响极小,但在超低功耗设计中仍需评估整体漏电预算。
  • 若需更高能量承受能力或特定汽车级认证,请核对是否满足额外的规范或选用更高等级产品。

ESD9B5VL 以其小型化、低电容与符合 IEC 标准的防护性能,为 5 V 及高速信号系统提供高效的板级静电与浪涌防护方案。采购或设计集成时,请参照台舟电子(TECH PUBLIC)提供的详细数据手册与封装推荐焊盘以获得最佳性能。