WPM2015-3/TR

WPM2015-3/TR 产品概述

概要

WPM2015-3/TR 是一款由 KUU 品牌生产的场效应管（MOSFET），属于P沟道类型，采用SOT-23-3封装。这种元器件设计用于各种电子设备中的开关和放大应用，特别适合需要高效能和小尺寸的系统。

基础参数

以下是 WPM2015-3/TR 的一些关键参数：

• 功率（Pd）: 1.1W
  • 这表明该MOSFET在正常工作条件下可以承受的最大功率。
• 反向传输电容（Crss@Vds）: 54pF @ 10V
  • 这是指在特定漏源电压下，MOSFET的反向传输电容，影响其高频性能。
• 导通电阻（RDS(on)@Vgs, Id）: 110mΩ @ 4.5V, 2.7A
  • 这表示当门源电压为4.5V，漏极电流为2.7A时，MOSFET的导通电阻，直接影响到能耗和热量产生。
• 漏源电压（Vdss）: 20V
  • 这是MOSFET可以承受的最大漏源电压，超过此值可能导致元器件损坏。
• 类型: 1个P沟道
  • 表明这是一个P型场效应管，适用于不同类型的电路设计。
• 输入电容（Ciss@Vds）: 534pF @ 10V
  • 这是指在特定漏源电压下，MOSFET的输入电容，影响其驱动能力和开关速度。
• 连续漏极电流（Id）: 2.4A
  • 这是MOSFET可以持续承受的最大漏极电流，超过此值可能导致过热或损坏。
• 阈值电压（Vgs(th)@Id）: 1V @ 250uA
  • 这表示当漏极电流为250uA时，MOSFET开始导通所需的最低门源电压。

应用场景

WPM2015-3/TR 由于其小尺寸和高性能，适用于各种应用场景，包括但不限于：

• 低功耗电子设备: 如便携式电子设备、无线传感器等，需要高效能和小尺寸的场效应管。
• DC-DC转换器: 在开关模式电源供应中，WPM2015-3/TR 可以作为高频开关元件，提高效率和减小体积。
• 电机驱动: 用于驱动小型DC电机或步进电机，提供高效能和可靠的开关性能。
• 信号放大: 在一些信号处理应用中，WPM2015-3/TR 可以作为放大器或开关元件，提供快速响应和低噪声特性。

优势

• 高效能: 低导通电阻（RDS(on)）和小尺寸封装，使得WPM2015-3/TR 在高频应用中表现出色。
• 小尺寸: 采用SOT-23-3封装，使其非常适合空间有限的设计。
• 低阈值电压: 仅需1V的阈值电压，使得驱动变得更加容易和节能。
• 高可靠性: 由知名品牌KUU生产，确保了产品的质量和可靠性。

使用注意事项

在使用WPM2015-3/TR 时，需要注意以下几点：

• 热管理: 由于高频操作可能产生较大的热量，需要确保良好的散热设计。
• 电压限制: 不要超过最大漏源电压（Vdss）和最大连续漏极电流（Id），以避免元器件损坏。
• 驱动要求: 确保驱动电路能够提供足够的门源电压和电流，以确保MOSFET的正常工作。

通过以上信息，可以看到WPM2015-3/TR 是一款功能强大、体积小巧的P沟道MOSFET，广泛适用于各种需要高效能和小尺寸的电子系统。其优异的性能参数和可靠的质量，使其成为许多设计工程师的首选。