PSBD2FD40V1H 产品实物图片
PSBD2FD40V1H 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

PSBD2FD40V1H

商品编码: BM0226015164
品牌 : 
Prisemi 芯导
封装 : 
DFN1006-2L
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
肖特基二极管 600mV@1A 45V 1A DFN1006-2L
库存 :
468(起订量20,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.271
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.271
--
500+
¥0.0905
--
5000+
¥0.0603
--
10000+
¥0.0495
--
100000+
产品参数
产品手册
产品概述

PSBD2FD40V1H参数

正向压降(Vf)600mV@1A直流反向耐压(Vr)45V
整流电流1A

PSBD2FD40V1H手册

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PSBD2FD40V1H概述

PSBD2FD40V1H 产品概述

概要

PSBD2FD40V1H 是由 Prisemi 芯导出品的一款高性能肖特基二极管,适用于各种需要高效能和低损耗的电子应用。以下是对此产品的详细介绍。

基础参数

  • 商品分类: 肖特基二极管
  • 整流电流: 1 A
  • 正向压降 (Vf): 600 mV @ 1 A
  • 直流反向耐压 (Vr): 45 V
  • 封装: DFN1006-2L

特性和优势

低正向压降

PSBD2FD40V1H 具有极低的正向压降,仅为 600 mV @ 1 A。这意味着在相同的工作条件下,相比传统的硅二极管,它可以显著减少能量损耗,提高系统的整体效率。这种特性使其特别适合用于需要高效能转换的应用,如电源管理、电池充电和逆变器等。

高整流电流

该肖特基二极管支持高达 1 A 的整流电流,这使得它能够处理较大的电流负载,满足各种高功率应用的需求。这种高电流能力结合低正向压降,使得 PSBD2FD40V1H 成为理想的选择用于需要高效能和高可靠性的系统。

高反向耐压

PSBD2FD40V1H 拥有 45 V 的直流反向耐压,这确保了在正常工作条件下,即使遇到暂时性的电压峰值,也能保持稳定运行,提高了系统的可靠性和耐用性。

小型化封装

采用 DFN1006-2L 封装,PSBD2FD40V1H 具有极小的体积和低-profile 设计,这使得它非常适合用于空间有限但要求高性能的现代电子设备中。小型化封装不仅节省了 PCB 空间,还有助于提高系统的集成度和可靠性。

应用场景

电源管理

在电源管理系统中,PSBD2FD40V1H 可以作为反馈二极管、自由轮流二极管或保护二极管,帮助实现高效能的电源转换和保护。

电池充电

对于电池充电应用,低正向压降和高整流电流使得 PSBD2FD40V1H 成为理想的选择,可以减少能量损耗,提高充电效率。

逆变器和变换器

在逆变器和变换器中,高效能的肖特基二极管如 PSBD2FD40V1H 可以显著提高系统的总体效率,减少热量产生,并提高可靠性。

汽车电子

由于其高反向耐压和低正向压降,PSBD2FD40V1H 也非常适合用于汽车电子系统,如启动系统、电池管理系统等。

设计考虑

热管理

尽管 PSBD2FD40V1H 具有低正向压降,但在高电流工作条件下仍需要适当的热管理。设计人员应确保 PCB 布局能够有效散热,以确保元器件在正常工作范围内运行。

电磁兼容性

由于肖特基二极管的快速开关特性,设计人员需要考虑电磁兼容性问题,确保系统不会受到电磁干扰影响。

安装和焊接

DFN1006-2L 封装要求精确的安装和焊接工艺,以确保良好的接触和可靠性。建议使用自动化焊接设备并遵循制造商提供的焊接指南。

总结

PSBD2FD40V1H 是一款高性能、低损耗的肖特基二极管,通过其卓越的特性,如低正向压降、高整流电流和高反向耐压,广泛应用于各种需要高效能转换和保护的电子系统。其小型化封装使其成为现代电子设备设计中的理想选择。通过合理设计和使用此元器件,可以显著提高系统的整体效率和可靠性。