LM2904XS8G/TR 产品概述

一、产品简介

LM2904XS8G/TR 是圣邦微（SGMICRO）推出的一款双运算放大器，封装为 SOIC-8，面向工业级应用。器件具备高共模抑制比（CMRR = 118 dB）、较低噪声密度（eN = 36 nV/√Hz @1 kHz）和宽工作温度范围（-40℃ 至 +125℃），适合精密差分测量与低噪信号放大场合。

二、主要参数

• 放大器数：双路
• 共模抑制比：118 dB
• 输入噪声密度：36 nV/√Hz @1 kHz
• 增益带宽积（GBP）：1.1 MHz
• 压摆率（SR）：350 V/ms
• 输入失调电压（Vos）：5.8 mV
• 输入偏置/失调电流（Ib / Ios）：10 pA / 10 pA
• 静态电流（Iq）：440 μA
• 输出电流：18 mA
• 电源范围：单电源 3 V ～ 32 V；双电源 VEE~VCC：±1.5 V～±16 V（等效表示）
• 最大电源差：32 V
• 工作温度：-40℃ ～ +125℃

三、典型应用

• 精密传感器前端放大（差分测量、桥式传感器）
• 低噪声信号拾取与处理（前置放大器）
• 工业控制与数据采集系统
• 便携式与汽车电子（满足宽温度与宽电源要求）

四、封装与可靠性

SOIC-8 封装利于标准 PCB 组装与散热，适配批量生产与自动化贴装。器件在宽温范围和较高电源容差下仍保持稳定性能，适合工业级长期可靠性设计。

五、设计建议

• 在低噪声应用中配合良好布局和旁路电容以降低电源噪声影响。
• 考虑 Vos（5.8 mV）与偏置电流对高阻抗传感器的影响，必要时进行偏置补偿或采用差分拓扑。
• 输出负载接近 18 mA 时需注意功耗与热管理。
• 对带宽与相位裕度要求较高的系统，应留意 GBP（1.1 MHz）与压摆率对大信号响应的限制。

如需器件数据手册、测试曲线或封装建议图，请提供联系方式或告知具体应用场景，以便进一步匹配设计参数。