2N7002KDW_R1_00001

2N7002KDW_R1_00001 产品概述

1. 产品简介

2N7002KDW_R1_00001 是一款由 PANJIT（强茂）公司生产的 N 沟道场效应管（MOSFET），采用 SC-70-6（SOT-363）封装。该器件设计用于低功率应用，具有优异的开关性能和低导通电阻，适用于各种电子电路中的信号切换和功率管理。

2. 主要特性

• 功率耗散 (Pd): 200mW
• 导通电阻 (RDS(on)): 3Ω @ Vgs=10V, Id=500mA
• 工作温度范围: -55℃ ~ +150℃ (Tj)
• 栅极电荷 (Qg): 800pC @ Vgs=4.5V
• 漏源电压 (Vdss): 60V
• 连续漏极电流 (Id): 115mA
• 阈值电压 (Vgs(th)): 2.5V @ Id=250uA
• 输入电容 (Ciss): 35pF @ Vds=25V

3. 应用领域

2N7002KDW_R1_00001 广泛应用于以下领域：

• 便携式设备: 如智能手机、平板电脑等，用于电源管理和信号切换。
• 消费电子: 如电视、音响设备等，用于低功率开关电路。
• 工业控制: 如传感器接口、继电器驱动等，提供可靠的开关性能。
• 汽车电子: 如车载娱乐系统、照明控制等，满足汽车级温度要求。

4. 封装与引脚配置

该器件采用 SC-70-6（SOT-363）封装，具有 6 个引脚，具体配置如下：

• 引脚 1: 栅极 (Gate)
• 引脚 2: 源极 (Source)
• 引脚 3: 漏极 (Drain)
• 引脚 4: 源极 (Source)
• 引脚 5: 漏极 (Drain)
• 引脚 6: 栅极 (Gate)

5. 电气特性

• 阈值电压 (Vgs(th)): 2.5V @ Id=250uA，确保在低电压下可靠开启。
• 导通电阻 (RDS(on)): 3Ω @ Vgs=10V, Id=500mA，提供低导通损耗。
• 栅极电荷 (Qg): 800pC @ Vgs=4.5V，适合高频开关应用。
• 输入电容 (Ciss): 35pF @ Vds=25V，减少开关过程中的能量损耗。

6. 热性能

• 工作温度范围: -55℃ ~ +150℃，适用于极端环境下的应用。
• 功率耗散 (Pd): 200mW，确保在低功率应用中的稳定性。

7. 可靠性

2N7002KDW_R1_00001 经过严格的质量控制和可靠性测试，确保在各种应用场景下的长期稳定性和可靠性。

8. 优势

• 低导通电阻: 减少功率损耗，提高效率。
• 小封装: SC-70-6（SOT-363）封装，适合空间受限的应用。
• 宽工作温度范围: 适应各种环境条件。
• 高可靠性: 经过严格测试，确保长期稳定运行。

9. 典型应用电路

以下是一个典型的应用电路示例，用于信号切换：

+5V
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[R1]
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 |
[2N7002KDW_R1_00001] Gate
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[Load]
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GND

在该电路中，2N7002KDW_R1_00001 用于控制负载的开关，通过栅极电压控制漏极和源极之间的导通状态。

10. 结论

2N7002KDW_R1_00001 是一款高性能的 N 沟道场效应管，适用于各种低功率应用。其低导通电阻、小封装和宽工作温度范围使其成为便携式设备、消费电子、工业控制和汽车电子等领域的理想选择。PANJIT（强茂）公司的高质量标准确保了该器件的可靠性和长期稳定性。

通过以上概述，用户可以全面了解 2N7002KDW_R1_00001 的特性和应用，从而更好地选择和使用该器件。