BCX56-16-AU_R1_000A1 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BCX56-16-AU_R1_000A1

商品编码: BM0227282161复制
品牌 : 
PANJIT(强茂)复制
封装 : 
SOT-89复制
包装 : 
编带复制
重量 : 
复制
描述 : 
三极管(BJT) 1.4W 100V 1A NPN复制
库存 :
2973(起订量1,增量1)复制
批次 :
25+复制
数量 :
X
0.354
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.354
--
1000+
¥0.32
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

BCX56-16-AU_R1_000A1参数

晶体管类型NPN集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)100V耗散功率(Pd)1.4W
直流电流增益(hFE)100@150mA,2V特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA集射极饱和电压(VCE(sat))500mV
工作温度-55℃~+150℃射基极击穿电压(Vebo)6V

BCX56-16-AU_R1_000A1手册

BCX56-16-AU_R1_000A1概述

BCX56-16-AU_R1_000A1 产品概述

BCX56-16-AU_R1_000A1 是强茂(PANJIT)推出的一款小功率 NPN 双极型晶体管,采用 SOT-89 封装,适合中低功率开关与线性放大场合。器件在 100V 的集射极击穿电压与 1A 的集电极持续电流能力下,兼顾较高的频率特性与良好的直流增益,适用于对体积和散热有一定要求的应用。

一、主要特性

  • 晶体管类型:NPN
  • 最大集电极电流 Ic:1 A
  • 集射极击穿电压 Vceo:100 V
  • 耗散功率 Pd(封装):1.4 W(SOT-89)
  • 直流电流增益 hFE:约 100(测量条件 Ic =150 mA,VCE =2 V)
  • 特征频率 fT:100 MHz
  • 集电极截止电流 Icbo:典型 100 nA
  • 饱和电压 VCE(sat):典型 500 mV(视驱动条件而定)
  • 射基极击穿电压 Vebo:6 V
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +150 ℃
  • 封装:SOT-89,品牌:PANJIT(强茂)

二、典型应用场景

  • 中功率开关电路(继电器驱动、灯/马达小负载控制)
  • 线性放大器(音频前级、小信号放大)
  • 电源电路中的参考/驱动元件
  • 高压开关与保护电路(需注意功耗与散热)

三、封装与引脚提示

SOT-89 封装体积小、具有较好的散热能力,但与功率封装比较仍有限。典型 PCB 布局建议在集电极焊盘处留大面积铜箔并与散热层或散热孔配合,以降低结壳温升。具体引脚排列(基极/集电极/发射极)请以厂商数据手册为准。

四、设计与热管理建议

  • 在设计时按 Pd 与实际功耗计算结温:Tj = Ta + Pd × RθJA,需参考厂商给出的 RθJA/RθJC 参数以保证安全裕量。
  • 若在高电压或高电流条件下使用,应增大 PCB 铜面积并考虑散热片或多层板热盲孔。
  • 驱动电流需保证基极有足够的偏流以使器件进入所需工作区(开关时注意基极限流与保护)。
  • 由于 VCE(sat) 与 hFE 随电流和温度变化明显,实际设计应以典型工作点测量值为准并留裕量。

五、可靠性与环境适应

器件额定工作温度范围宽(-55 ℃ 到 +150 ℃),适合工业环境使用;但长时间在高温、高功耗条件下工作会影响寿命,建议在长期应用中保持晶体管结温低于最大允许值并进行必要的热仿真验证。

六、选型要点与替代建议

选型时以最大 Vceo、Ic、Pd 与 hFE 曲线为核心参考。若需同类替代器件,请选择标称电压、最大电流和封装相近的 NPN 晶体管,并核对饱和电压和频率特性以满足开关速度或增益需求,同时确认 SOT-89 的引脚兼容性。

总结:BCX56-16-AU_R1_000A1 为一款兼顾高电压耐受与较好增益的 SOT-89 封装 NPN 晶体管,适用于需要空间紧凑且功耗适中的开关和线性电路。为获得最佳性能,建议参考 PANJIT 官方数据手册进行电气特性与热参数校核,并在 PCB 布局上做好散热设计。