注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
PMDXB1200UPEZ
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
DFN1010B-6
包装 :
编带
重量 :
1g
描述 :
MOSFET-阵列-2-个-P-沟道（双）-30V-410mA-285mW-表面贴装型-DFN1010B-6
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
0.924按整 :
圆盘(1圆盘有21263个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.924
--
200+
￥0.739
--
1000+
￥0.672
--
5315+
￥0.634
--
10631+
￥0.609
--
106315+
产品参数
产品手册
常见问题
PMDXB1200UPEZ参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.4 欧姆 @ 410mA，4.5V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 410mA | FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 43.2pF @ 15V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.2nC @ 4.5V | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| FET 功能 | 标准 | 功率 - 最大值 | 285mW |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA | 封装/外壳 | 6-XFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | DFN1010B-6 |
PMDXB1200UPEZ手册
PMDXB1200UPEZ问题
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