通道数 | 1 | 电压 - 隔离 | 5000Vrms |
电流传输比(最小值) | 50% @ 1mA | 电流传输比(最大值) | 150% @ 1mA |
上升/下降时间(典型值) | 7µs,11µs | 输入类型 | AC,DC |
输出类型 | 晶体管 | 电压 - 输出(最大值) | 80V |
电压 - 正向 (Vf)(典型值) | 1.2V | 电流 - DC 正向 (If)(最大值) | 60mA |
Vce 饱和压降(最大) | 200mV | 工作温度 | -55°C ~ 110°C |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | 4-DIP(0.300",7.62mm) |
供应商器件封装 | 4-DIP |
EL814(A) 是一款高性能的光耦合器,专为需要隔离信号传输的电子应用而设计。该产品的关键特性包括5000Vrms的电压隔离能力、广泛的工作温度范围和高效的电流传输比,这些特性使得EL814(A)在诸如工业控制、数据通信和电力设备等领域得到了广泛应用。
电压隔离: EL814(A) 提供高达5000Vrms的电压隔离,这为各种高压电路提供了良好的保护,避免了高压对低压电路的损害,确保系统的可靠性和安全性。
电流传输比: 该光耦合器的电流传输比在1mA的工作条件下,最小值为50%,最大值可达150%。这种特性确保了输入信号能够有效转换为输出信号,满足不同应用对信号强度的需求。
响应时间: EL814(A)具有极短的上升和下降时间,典型值为7μs和11μs。这一特性使得该器件非常适合需要快速信号传递的应用,同时也提高了系统的整体性能。
输入与输出类型: EL814(A)能够处理AC和DC类型的输入信号,通过其内部的光电隔离结构,有效地将输入信号转换为晶体管输出。这种输出方式适合大多数数字和模拟电路的后续处理。
输出电压及电流规格: 最大输出电压可以达到80V,而最大DC正向电流为60mA。这使得EL814(A)可以在多种负载条件下工作,增强了其适用性。
低饱和压降: 在正常工作条件下,Vce饱和压降最大为200mV。这意味着在应用中所需的功耗非常低,有效提升了系统的工作效率,并且减少了热量损耗。
EL814(A)采用通孔安装方式,并以4-DIP(0.300" / 7.62mm)封装提供。该封装设计使得元件在电路板上的安装十分方便,能够快速集成到多种产品设计中。
EL814(A)的工作温度范围广泛,覆盖-55°C到110°C。这种宽温度范围使得该器件可以在苛刻的环境中保持稳定工作,适用于工业、汽车和消费电子等多种应用场景。
由于其卓越的电隔离特性、快速的响应时间和可靠的性能,EL814(A)被广泛应用于以下领域:
EL814(A)光耦合器是一款兼具高性能与高可靠性的电子元件,不仅满足了严苛的电气隔离要求,还确保了优越的信号传输特性。凭借其广泛的应用范围和出色的技术规格,EL814(A)是许多电子设计中不可或缺的元素,为工程师提供了更加安全可靠的解决方案。无论是在新产品的开发,还是在现有系统的改进升级中,EL814(A)总能展现其杰出的性能,帮助用户实现更高效、更安全的设计目标。