2SK3018 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

2SK3018

商品编码: BM0227655765
品牌 : 
Hottech(合科泰)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 350mW 30V 100mA 1个N沟道 SOT-23
库存 :
5000(起订量50,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.211
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.211
--
200+
¥0.0705
--
1500+
¥0.0441
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

2SK3018参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)100mA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8Ω@4V,10mA
功率(Pd)200mW阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@100uA
输入电容(Ciss@Vds)13pF@5V工作温度-55℃~+150℃

2SK3018手册

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2SK3018概述

产品概述:2SK3018 N沟道场效应管 (MOSFET)

1. 概述

2SK3018是一款高性能的N沟道场效应管,专为各种电子应用而设计,其主要优势在于其优异的导通特性和较高的工作温度范围。这种场效应管在许多低功率和中功率的电路中被广泛应用,包括开关电源、LED驱动、电机控制和信号放大等领域。它的封装为SOT-23,适合用于空间受限的电路设计中。

2. 主要参数

  • 功率(Pd):200mW
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8Ω@4V, 10mA
  • 工作温度范围:-55℃~+150℃
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 连续漏极电流(Id):100mA
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@100μA
  • 输入电容(Ciss@Vds):13pF@5V
  • 封装类型:SOT-23
  • 品牌:Hottech(合科泰)

3. 设计特点

2SK3018的设计经过优化,确保其在多种条件下都能保持可靠的性能。它的导通电阻在低电压下的表现尤为优越,使其在低功耗应用中有效降低能量损耗。此外,其较高的工作温度范围意味着在严苛环境下,这款MOSFET也能够稳定工作。

  • 导通特性:该MOSFET的RDS(on)仅为8Ω@4V,10mA,表示在打开状态下的电阻值非常小,使其在使用时能够减少功耗和热量生成。
  • 阈值电压:阈值电压Vgs(th)为1.5V,这意味着在较低的门电压下,MOSFET就能够快速开启,适合使用于需要快速响应的电路设计中。

4. 应用场景

由于其优良的电学性能,2SK3018在多个应用场景中展现出很大的灵活性:

  • 开关电源:MOSFET通常用于开关电源中的高开关频率转换器,其稳定性和低导通电阻使得能量损失降至最低。
  • LED驱动:在LED驱动电路中,2SK3018可以快速开关,提供稳定的电流控制,确保LED模块的亮度和寿命。
  • 电机控制:在小功率电机的驱动电路中,使用该MOSFET可实现高效控制,提供所需的电流和电压,有助于提升电机的效率。
  • 信号放大:在某些信号处理应用中,2SK3018可以被用于信号放大和增益控制,提供高输入阻抗和低输出阻抗的特性。

5. 封装和实用性

SOT-23封装使得2SK3018在体积较小的情况下依然能够呈现良好的电性性能,适合各种PCB设计。对于需要高密度布线路由的应用,SOT-23封装是一个理想的选择。此外,合科泰的品牌信誉保障了其产品的质量和售后支持,使得设计师可以放心使用该元器件。

6. 总结

综合以上信息,2SK3018是一款性价比高的N沟道场效应管,具备优良的导通性能和广泛的应用适用性。其在开关电源、LED驱动及电机控制等领域的广泛应用显示了其良好的市场前景。在设计电路时考虑到其功率范围、温度稳定性和低导通电阻特性,能够帮助设计师更好地满足现代电子设备对高效与小型化的需求。无论是对初学者还是经验丰富的工程师,2SK3018都是一个值得考虑的优质选择。