类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 100mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8Ω@4V,10mA |
功率(Pd) | 200mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@100uA |
输入电容(Ciss@Vds) | 13pF@5V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
2SK3018是一款高性能的N沟道场效应管,专为各种电子应用而设计,其主要优势在于其优异的导通特性和较高的工作温度范围。这种场效应管在许多低功率和中功率的电路中被广泛应用,包括开关电源、LED驱动、电机控制和信号放大等领域。它的封装为SOT-23,适合用于空间受限的电路设计中。
2SK3018的设计经过优化,确保其在多种条件下都能保持可靠的性能。它的导通电阻在低电压下的表现尤为优越,使其在低功耗应用中有效降低能量损耗。此外,其较高的工作温度范围意味着在严苛环境下,这款MOSFET也能够稳定工作。
由于其优良的电学性能,2SK3018在多个应用场景中展现出很大的灵活性:
SOT-23封装使得2SK3018在体积较小的情况下依然能够呈现良好的电性性能,适合各种PCB设计。对于需要高密度布线路由的应用,SOT-23封装是一个理想的选择。此外,合科泰的品牌信誉保障了其产品的质量和售后支持,使得设计师可以放心使用该元器件。
综合以上信息,2SK3018是一款性价比高的N沟道场效应管,具备优良的导通性能和广泛的应用适用性。其在开关电源、LED驱动及电机控制等领域的广泛应用显示了其良好的市场前景。在设计电路时考虑到其功率范围、温度稳定性和低导通电阻特性,能够帮助设计师更好地满足现代电子设备对高效与小型化的需求。无论是对初学者还是经验丰富的工程师,2SK3018都是一个值得考虑的优质选择。