晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 600mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 150V | 功率(Pd) | 300mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@1mA,5V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@10mA,1mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
MMBT5401是一种高性能的PNP型三极管,广泛应用于各种电子电路中的信号放大和开关控制。它拥有优秀的电气特性,适合在要求较高的环境和应用中使用。其额定功率为300mW,能够在-55℃到+150℃的宽温度范围内稳定工作,确保在严苛的环境条件下依然能提供可靠的性能。
该三极管的封装类型为SOT-23,使其非常适合于小型化电子产品中应用。此外,它的较小的空间占用和较低的制造成本使其在消费电子和工业自动化领域成为了一种理想的选择。
高增益特性:MMBT5401在1mA的集电极电流下,具备高达80的直流电流增益(hFE),这使得它在需要放大微弱信号的应用中表现优异,能够将输入信号有效放大,从而驱动更大的负载。
优越的频率响应:其100MHz的特征频率(fT)使得该三极管在高频应用中也能够保持良好的性能,适合用于高频信号处理的场合。
承受高电压能力:该器件的集射极击穿电压(Vceo)高达150V,意味着它能够在高压环境下正常工作,增强了其适用性,特别是用于需要耐高压的电路设计中。
低饱和电压:200mV的集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))使得在低功耗情况下,三极管依然能够有效工作,从而提高了电路的能效和可靠性。
出色的截止特性:最大集电极截止电流(Icbo)为100nA,这表明在不导通状态下,器件的漏电流极小,有效降低了静态功耗。
MMBT5401的高功率与宽温特性使其适合于多个应用场景,包括但不限于:
MMBT5401是一款性能卓越、功能丰富的PNP型三极管,凭借其高度的稳定性和适应广泛环境的能力,在现代电子设计中占据了重要位置。无论是消费类产品还是工业应用,其出色的电气特性和灵活的应用范围使得它成为了设计工程师的理想选择。选用MMBT5401有助于提升产品性能,缩短开发周期,并降低设计的复杂性。通过合理地利用其特性,能够在多种设计需求下,实现高效的信号处理与控制。