FDS9926A 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

FDS9926A

商品编码: BM0227692089
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
8-SOIC
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 900mW 20V 6.5A 2个N沟道 SOP-8
库存 :
2500(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
1.97
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.97
--
100+
¥1.51
--
1250+
¥1.31
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

FDS9926A参数

类型2个N沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6.5A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)30mΩ@6.5A,4.5V
功率(Pd)900mW阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)9nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)650pF@10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

FDS9926A手册

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FDS9926A概述

FDS9926A 产品概述

产品介绍

FDS9926A是一款由安森美(ON Semiconductor)公司推出的高性能N沟道MOSFET,采用了紧凑的8-SOIC封装。这款器件专为低电压、高效率应用而设计,能够满足电源管理、负载开关和其他能源调节应用的需求。其出色的电气性能和小巧的封装设计使其在消费电子、工业设备和汽车电子等众多领域中具有广泛的适用性。

关键规格

  • 安装类型:表面贴装型
  • 导通电阻(Rds(on):最大值30毫欧(@ 6.5A, Vgs = 4.5V, 25°C)
  • 连续漏极电流(Id):6.5A
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 输入电容(Ciss):最大值650pF(@ 10V)
  • 栅极电荷(Qg):最大值9nC(@ 4.5V)
  • 阈值电压(Vgs(th):最大值1.5V(@ 250 µA)
  • 功率最大值:900mW
  • 工作温度范围:-55°C至150°C
  • 封装类型:8-SOIC

性能特点

FDS9926A的导通电阻低至30毫欧,使得器件能够在较大电流条件下工作时,降低能量损耗和发热,从而提升了整体效率。这对于需要长时间运行的设备而言,能够显著提高可靠性与使用寿命。它的最大漏源电压为20V,适合用于多种低压电源应用,能够满足大多数电源设计的要求。

该MOSFET的输入电容为650pF(@10V),在提供快速开关能力的同时,保持了良好的输入特性,降低了驱动复杂度,适合在高速应用中使用。为了进一步降低开关损耗,FDS9926A的栅极电荷(Qg)仅为9nC(@ 4.5V),这使得它在快速开关应用中的表现得到了显著提升。

应用场景

FDS9926A适用于各种需要高效率和可靠性的应用场合,包括:

  • 电源管理:尤其是在便携式设备、计算机和网络设备中,能够有效管理电源分配,提高能效。
  • 负载开关:可用于负载控制及过流保护。
  • DC-DC转换器:作为同步整流MOSFET,提升转换效率。
  • 电机驱动器:在汽车和工业自动化中对电机提供高效驱动和控制。
  • 消费电子产品:如笔记本电脑、平板电脑和智能手机等领域。

可靠性与耐久性

FDS9926A拥有优异的热稳定性和广泛的工作温度范围(-55°C至150°C),使其在极端环境下也能够可靠工作。其封装符合ROHS标准,确保了应用于环保需求愈加严格的市场时,无需顾虑材料方面的问题。

总结

FDS9926A是一款性能卓越、应用广泛的N沟道MOSFET,凭借其低导通电阻、宽工作温度范围和占用空间小的封装,能够为多种电源应用提供有效支持。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域,FDS9926A都能作为一款可靠的选择,为客户的设计提供优质的解决方案,提升产品的竞争力。