MUN5330DW1T1G

MUN5330DW1T1G 产品概述

概要

MUN5330DW1T1G 是由安森美（ON Semiconductor）生产的一款双极性晶体管（BJT），它集成了一个 NPN 和一个 PNP 晶体管，适用于各种电子应用。以下是对此产品的详细介绍。

基本参数

• 晶体管类型: 预偏压式双极性晶体管，包含一个 NPN 和一个 PNP 晶体管。
• 电流 - 集电极 (Ic) 最大值: 100 mA，表明该晶体管可以承受的最大集电极电流。
• 电压 - 集射极击穿 (Vceo) 最大值: 50 V，表示在正常操作条件下，晶体管可以承受的最大集射极电压。
• 基极电阻 (R1): 1 千欧，用于基极的内部电阻。
• 发射极电阻 (R2): 1 千欧，用于发射极的内部电阻。

电流增益和饱和压降

• DC 电流增益 (hFE) 最小值:
  • 在不同 Ic 和 Vce 条件下，hFE 的最小值为 3 @ 5 mA，10 V。这意味着在这种操作点下，晶体管的最小电流增益是 3。
• Vce 饱和压降 (Vce(sat)) 最大值:
  • 在不同 Ib 和 Ic 条件下，Vce 饱和压降的最大值为 250 mV @ 5 mA，10 mA。这表明当基极电流为 5 mA 和集电极电流为 10 mA 时，晶体管的饱和状态下集电极与发射极之间的最大压降为 250 mV。

其他关键参数

• 集电极截止电流 (Icbo) 最大值: 500 nA，表示当基极无电流输入时，集电极与基极之间的漏电流。
• 功率 - 最大值: 250 mW，表示该晶体管可以承受的最大功率消耗。
• 安装类型: 表面贴装型（SMD），适用于现代电子产品中的自动化生产和高密度封装要求。

封装和供应商信息

• 封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363。这三种封装类型提供了灵活的选择，适应不同应用场景下的空间和性能需求。
• 供应商器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363。这进一步强调了该产品支持多种标准化封装形式。
• 品牌: 由全球知名的半导体制造商安森美（ON Semiconductor）生产。

应用场景

通用放大和开关应用

MUN5330DW1T1G 适用于各种通用放大和开关应用。由于其预偏压设计，可以简化电路设计并减少外部组件数量。它可以用于音频和视频信号放大、逻辑门电路、驱动器以及其他需要双极性晶体管的场景。

低功耗设备

该产品的低功耗特性（最大功率消耗为 250 mW）使其特别适合于低功耗电子设备，如便携式电子产品、无线传感器网络等。

高集成度系统

由于采用表面贴装型封装，MUN5330DW1T1G 可以轻松集成到高密度的电子系统中，如智能手机、平板电脑、汽车电子系统等。

优势

高集成度

集成一个 NPN 和一个 PNP 晶体管，使得电路设计更加紧凑，减少了 PCB 布局空间。

简化设计

预偏压设计简化了外部电阻和电容的选择过程，有助于加快产品开发周期。

低功耗

低最大功率消耗使其适用于需要长时间运行且节能的应用场景。

多种封装选择

支持多种标准化封装形式（SC-88，SC70-6，SOT-363），提供了灵活的选择，满足不同应用需求。

总结

MUN5330DW1T1G 是一款功能强大且灵活的双极性晶体管，适用于广泛的电子应用。其预偏压设计、低功耗特性和多种封装选择，使其成为现代电子产品设计中的理想选择。通过选择此产品，工程师可以实现更紧凑、更高效、更可靠的电子系统。