注：图像仅供参考，请参阅产品规格
LND150K1-G
品牌 :
MICROCHIP(美国微芯)
封装 :
SOT-23
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 360mW 500V 13mA 1个N沟道 SOT-23
库存 :
100(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
5.33按整 :
编带(1编带有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥5.33
--
100+
￥4.44
--
750+
￥4.11
--
1500+
￥3.92
--
18000+
产品参数
产品手册
常见问题
LND150K1-G参数
| FET 类型 | N 通道 | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 0V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13mA（Tj） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1000 欧姆 @ 500µA，0V |
| 安装类型 | 表面贴装型 | Vgs（最大值） | ±20V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | FET 功能 | 耗尽模式 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 360mW（Ta） |
LND150K1-G手册
LND150K1-G问题
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