NCE2007N 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NCE2007N

商品编码: BM0228289527复制
品牌 : 
NCE(新洁能)复制
封装 : 
SOT23-6L复制
包装 : 
编带复制
重量 : 
复制
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.5W 20V 6.5A 2个N沟道复制
库存 :
5055(起订量1,增量1)复制
批次 :
24+复制
数量 :
X
0.2592
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.2592
--
3000+
¥0.22788
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCE2007N参数

数量2个N沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6.5A导通电阻(RDS(on))27mΩ@2.5V,5.5A
耗散功率(Pd)1.5W阈值电压(Vgs(th))1.2V@250uA
栅极电荷量(Qg)15nC@4.5V反向传输电容(Crss)100pF
工作温度-55℃~+150℃类型N沟道
输出电容(Coss)220pF

NCE2007N手册

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NCE2007N概述

NCE2007N 产品概述

一、产品简介

NCE2007N 是新洁能(NCE)推出的一款双通道 N 沟道场效应管(MOSFET),集成于 SOT23-6L 小型封装内。器件面向低压、大电流和空间受限的应用场景设计,两个 N 沟道晶体管可灵活配置为并联以降低导通电阻或作为独立开关使用,适合便携电源、同步整流及负载开关等场合。

二、主要参数

  • 漏源间电压(Vdss):20 V
  • 导通电阻(RDS(on)):27 mΩ @ Vgs = 2.5 V(I = 5.5 A)
  • 连续漏极电流(Id):6.5 A
  • 耗散功率(Pd):1.5 W(参考,受 PCB 散热影响)
  • 阈值电压(Vgs(th)):1.2 V @ Ig = 250 μA
  • 栅极电荷(Qg):15 nC @ Vgs = 4.5 V
  • 输出电容(Coss):220 pF
  • 反向传输电容(Crss/Cgd):100 pF
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +150 ℃
  • 封装:SOT23-6L(双 N 沟道)
  • 包含数量:2 个 N 沟道 MOSFET(单封装)

三、核心特性与优势

  • 低栅压导通:在 2.5 V 栅压下 RDS(on) 为 27 mΩ,属于逻辑电平驱动型 MOSFET,适合直接由微控制器或低压驱动器驱动。
  • 低导通损耗:较低的 RDS(on) 有利于降低导通损耗,提高能效,特别适合电源管理与同步整流应用。
  • 紧凑双通道封装:SOT23-6L 中集成两颗 N 沟道器件,节省 PCB 面积并降低器件间寄生,便于实现高密度设计。
  • 适度开关性能:Qg = 15 nC、Coss/Crss 水平适合中低频开关应用,在开关损耗和驱动要求间取得平衡。
  • 宽温度工作:-55 ℃ 到 +150 ℃ 的工作范围,满足工业级环境需求。

四、典型应用场景

  • 同步降压转换器(低压输出端的同步整流或高侧/低侧开关)
  • 电池管理与负载开关(移动设备、便携式电源)
  • 电源路径切换、反向电流保护与功率分配
  • 小功率马达驱动、LED 驱动及功率开关场景
  • 多通道功率管理 IC 的外部开关元件

五、封装与热管理建议

  • 虽然单通道连续电流列值可达 6.5 A,但 SOT23-6L 的耗散功率为 1.5 W,实际可通过 PCB 铜面积、散热层与过孔大幅提升热能力。建议在大电流应用中使用足够的铜箔、热沉区和多层铜通孔以分散热量。
  • 并联使用两颗通道可在降低单通道电流密度的同时减小总 RDS(on),但需注意电流分配与热均衡。
  • 在高开关频率场合,应评价开关损耗(与 Qg、Coss、Crss 相关),并在门极驱动上配合合适的阻抗匹配与驱动能力。

六、使用注意事项

  • 推荐根据实际 PCB 热阻和环境温度进行失效安全分析与功率估算;不要仅以标称 Pd 直接判断散热能力。
  • 在高 dV/dt 应用中,Crss 可能引起栅极耦合,必要时加入栅极电阻或 RC 缓冲以抑制振铃与误导通。
  • 若并联使用,应确保门极驱动同步且布线对称,以减少不均流与热跑偏。
  • 推荐在设计验证阶段进行温升测试与长期可靠性评估,确保在高温与高电流条件下的稳定工作。

总结:NCE2007N 在小型封装中提供了两颗低栅压、低 RDS(on) 的 N 沟道 MOSFET,适用于空间受限且需高能效的电源与开关场景。合理的驱动、布局与热设计能发挥其在功率密度与效率方面的优势。