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BLM15GA750SN1D 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BLM15GA750SN1DRoHS
商品编码:
BM0228534553复制
品牌:
muRata(村田)复制
封装:
0402复制
包装:
编带复制
重量:
0.015g复制
描述:
磁珠 75Ω@100MHz 1.3Ω ±25% 200mA复制
数据手册
产品参数
产品手册
产品概述
BLM15GA750SN1D参数
属性
参数值
阻抗@频率75Ω@100MHz
误差±25%
直流电阻(DCR)1.3Ω
属性
参数值
额定电流200mA
通道数1
工作温度-55℃~+125℃
BLM15GA750SN1D手册
BLM15GA750SN1D概述

BLM15GA750SN1D 产品概述 — muRata(村田)0402 磁珠

一、产品简介

BLM15GA750SN1D 是村田(muRata)系列的表面贴装磁珠,封装尺寸为 0402。该器件设计用于在高频段抑制共模/差模干扰和射频噪声,适合对空间与成本敏感的便携与消费类电子产品。典型电气参数:阻抗 75Ω(@100MHz,公差 ±25%),直流电阻(DCR)约 1.3Ω,额定直流电流 200mA,单通道结构,工作温度范围 -55℃ 至 +125℃。

二、关键特性

  • 高频抑制:在 100MHz 附近具有 75Ω 阻抗,对射频噪声和高速信号线的干扰有明显抑制效果。
  • 小尺寸:0402 封装适合高密度 PCB 设计,节省板面空间。
  • 低 DCR:约 1.3Ω 的直流电阻有利于降低电压降,适用于对压降敏感的微弱信号路径。
  • 额定电流:200mA,适合中低电流的信号线或偏置线路。
  • 宽温度范围:适应工业级温度环境(-55℃ ~ +125℃)。

三、典型应用

  • 数字/模拟电源去耦、低电流电源轨滤波;
  • 高速差分信号线与单端信号的射频噪声抑制;
  • 无线通讯设备、手机、蓝牙/Wi‑Fi 模块的 EMI 管理;
  • 摄像头、传感器接口及 SDR(软件定义无线电)前端抗扰设计。

四、选型与使用建议

  • DC 偏置影响:磁珠阻抗会随直流电流变化,应考虑在接近或超过额定电流时阻抗衰减,必要时预留裕量或并联多颗分担电流。
  • 放置位置:将磁珠靠近噪声源或进入敏感区的节点放置,以提高滤波效率;与旁路电容配合使用可构成有效的低通滤波网络。
  • 热与可靠性:0402 封装热容量小,长时间高温环境或过载可能影响性能,应遵循 PCB 设计的散热与电流限制。
  • 焊接工艺:兼容常规回流焊工艺,建议按 PCB 制造与装配规范进行焊接与回流温度控制,避免机械应力导致裂纹。

五、可靠性与测试要点

  • 在评估电路中进行频域阻抗测量,确认在目标频段(如 100MHz 附近)满足抑制需求;
  • 做温度升高与过电流测试以验证在工作条件下的阻抗变化与 DCR 稳定性;
  • 进行焊接耐受性测试与热循环测试,确保长期服役的机械与电气可靠性。

总结:BLM15GA750SN1D 以其在 100MHz 附近良好的阻抗、0402 的小型化封装及适中的额定电流,适合中低电流信号线与平台级 EMI 管理。选用时需注意直流偏置与热管理,配合合理布局与旁路元件可达到理想的抗干扰效果。

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