NUP1105LT1G
NUP1105LT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 类型 | 齐纳 |
| 电压 - 反向断态（典型值） | 24V（最小） | 电压 - 击穿（最小值） | 25.7V |
| 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 44V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 8A（8/20µs） |
| 功率 - 峰值脉冲 | 350W | 电源线路保护 | 无 |
| 应用 | CAN | 不同频率时电容 | 60pF @ 1MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 双向通道 | 1 | 基本产品编号 | NUP1105 |
NUP1105LT1G手册
NUP1105LT1G概述
NUP1105LT1G 产品概述
NUP1105LT1G 是一款高性能的齐纳二极管，由ON Semiconductor（安森美）制造，专为静电放电（ESD）和浪涌防护应用设计。它采用 SOT-23-3（TO-236）封装，适合于表面贴装，具备优越的热性能和小型化优点，使其成为电子设备中的理想选择。
主要特性
高反向击穿电压：NUP1105LT1G 的反向击穿电压有助于保护敏感器件免受高电压冲击。其反向断态电压的典型值为24V，最小击穿电压为25.7V，最大电压箝位可达44V，确保了在极端条件下的可靠性。
强大的浪涌处理能力：该器件在10/1000 µs脉冲宽度下具有高达8A的峰值脉冲电流处理能力，脉冲功率最高可达350W，能够有效抵御电涌对电路的损坏。
宽工作温度范围：NUP1105LT1G 的工作温度范围为-55°C至150°C，使其适用于多种环境及长期稳定运行的工业和消费电子应用。
低电容：在频率为1MHz的情况下，NUP1105LT1G的不同频率电容为60pF，能有效减小信号失真，适合快速数据传输的应用场景。
单通道设计：该器件为单通道设计，方便用户在各种电路中进行布线，尤其适合用于需要多通道保护的复杂电路。
应用场景
NUP1105LT1G 的设计使其适用于多种应用，尤其是在汽车网络（如 CAN 总线）和工业控制系统中。随着汽车电子的快速发展，CAN 网络的使用已经成为现代汽车的标配，而该器件的高耐受性和快速响应特性正好满足了这些需求。
此外，NUP1105LT1G 也适用于其他各种电子产品，如智能手机、平板电脑和家用电器的内部电路保护。这些设备通常都需面对外部环境和操作过程中的电涌与瞬时过电压，本产品能够高效地保护敏感电子元器件，延长设备的使用寿命。
封装与安装
NUP1105LT1G 以 SOT-23-3 封装形式提供，安装类型为表面贴装(SMD)，使其在电路板上的布局更加灵活。这种小型化的封装有助于减少电路板的占用空间，兼顾性能与设计的美观性，广泛应用于各种电子产品的设计中。
结论
总之，NUP1105LT1G是一款极具竞争力的齐纳二极管，专为应对现代电子产品中静电和浪涌电压的挑战而设计。其优越的电压和电流处理能力、宽广的工作温度范围以及小型化封装，使得 NUP1105LT1G 成为保护敏感电子元件的理想选择。无论是在消费电子、工业设备还是汽车网络中，它都能提供高效的保护解决方案，为电子设备的长久运行和稳定性提供了有力支持。