功率(Pd) | 225mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 5pF@25V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7Ω@5V,50mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 漏源电压(Vdss) | 60V |
输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@25V | 连续漏极电流(Id) | 115mA |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
2N7002是一款高性能的N通道MOSFET(场效应管),其主要应用于低功耗电路和开关电源等场景。其电气特性符合现代电子设备对功率、效率及工作的严苛要求。2N7002的主要参数包括最大漏源电压60V、连续漏极电流115mA,以及功率耗散225mW。该型号MOSFET采用SOT-23封装,适合表面贴装技术(SMT),是很多小型电子产品设计的理想选择。
2N7002广泛应用于多个领域,主要包括:
开关电源:利用该MOSFET的高开关速度和低导通损耗,使得转换器效率大幅提升。
信号放大和开关装置:在音频、电信等信号处理电路中,2N7002帮助实现高效的开关控制和信号调制。
电机驱动:在小型电机驱动电路中,使用2N7002可以有效控制电机的启停和正反转。
LED驱动:在LED灯具中,通过MOSFET的快速开关特性能达到调光和闪烁效果。
便携式电子产品:由于其小型封装和低功耗特性,2N7002特别适合于手机、平板电脑等便携式设备的电源管理。
低功耗特性:2N7002在低电流和低压条件下工作时,表现出优异的功耗效率,这对于延长电池寿命的设备尤为重要。
高可靠性:广泛的工作温度范围和坚固的封装设计,使得该MOSFET能够在苛刻环境下持续工作。
简单的驱动特性:相对较低的门电压阈值简化了控制电路的设计,降低了外围组件的需求,可以减少整体系统成本。
快速开关速度:在现代应用中,快速开关能力是实现高效信号处理的关键,2N7002的电气特性保证了这一点。
2N7002作为UMW(友台半导体)推出的一款重要N通道MOSFET,凭借其卓越的性能参数和广泛的适用场景,已经成为电子设计工程师与开发者的首选元器件之一。无论是在消费电子、工业控制,还是医疗等领域,2N7002都能以其精准、高效、信赖的特性为各种现代电子产品提供强大的动力和支持。通过合理的设计和应用,2N7002将能够帮助用户实现更高效的电路设计与创新。