SL12-E3/61T 产品实物图片
SL12-E3/61T 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SL12-E3/61T

商品编码: BM0229934147复制
品牌 : 
VISHAY(威世)复制
封装 : 
SMA(DO-214AC)复制
包装 : 
-复制
重量 : 
复制
描述 : 
肖特基二极管 445mV@1A 20V 200uA@20V 1.5A复制
库存 :
611(起订量1,增量1)复制
批次 :
25+复制
数量 :
X
0.551
按整 :
-(1-有1800个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.551
--
1800+
¥0.509
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

SL12-E3/61T参数

二极管配置1个独立式正向压降(Vf)445mV@1A
直流反向耐压(Vr)20V整流电流1.5A
反向电流(Ir)200uA@20V工作结温范围-55℃~+125℃
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)50A

SL12-E3/61T手册

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SL12-E3/61T概述

SL12-E3/61T 产品概述

一、概述

SL12-E3/61T 为 VISHAY(威世)推出的一款独立式肖特基整流二极管,SMA(DO-214AC)封装。该器件设计用于需要低正向压降与快速响应的电源和整流场合,在尺寸小、散热要求可控的应用中具有良好的性价比。

二、电气参数与性能

  • 正向压降 (Vf):445 mV @ 1 A(典型),低压降有助于降低导通损耗,提高效率。
  • 直流反向耐压 (Vr):20 V,适合低压轨电源或近端整流。
  • 整流电流:1.5 A(连续额定),满足中小电流整流需求。
  • 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):50 A(单次突发浪涌能力强),可承受启动或短时过载冲击。
  • 反向电流 (Ir):200 µA @ 20 V(室温下典型),肖特基器件在高温下漏电会增加,需注意温度相关的漏电管理。
  • 工作结温:-55 ℃ 到 +125 ℃,适用于宽温区工业级应用。

三、热性能与可靠性

SMA 封装在尺寸与散热之间取得平衡。器件的结温上限为 125 ℃,在实际设计中应对器件进行热仿真与合理的铜箔散热布局。长期可靠性依赖于工作结温的控制和瞬态浪涌的限制。

四、封装与机械特性

  • 封装:SMA (DO-214AC),适合自动贴装与回流焊工艺。
  • 机械强度与焊接性能良好,适用于批量生产与标准化 SMT 工艺。

五、典型应用场景

  • 开关电源中的次级整流或二极体钳位。
  • 低压 DC-DC 转换器、同步整流辅助或取代工作场景。
  • 反向保护(OR-ing)与电源路径选择。
  • 电池充放电管理、便携设备电源保护。
  • 需要低导通损耗的高效率电源系统。

六、设计与布局建议

  • 在 PCB 布局中,为减小结温,应在二极管引脚周围设计较大铜箔,并在必要处增加过孔连接至另一侧散热层。
  • 考虑到肖特基的温度相关反向漏电特性,若工作环境温度高于常温,应评估漏电对系统待机功耗和热平衡的影响。
  • 在有持续大电流或频繁浪涌的场合,建议在输入侧增加限流元件或合适的保护器件(如保险丝、热敏电阻)以保护二极管。
  • 对于关键功率回路,进行热成像或温升测试以验证实际工况下的结温是否满足规格。

七、选型与替代建议

SL12-E3/61T 适合寻求低 Vf 与中等电流能力的低压整流设计。若系统对反向漏电特别敏感,可考虑漏电更低但可能 Vf 略高的器件;若需要更高耐压或更大连续电流,应选择更高 Vr 或更大封装的肖特基或硅整流器件。

总结:SL12-E3/61T 提供了低正向压降、良好浪涌能力与紧凑封装的组合,适合各类低压电源与保护电路使用。在设计时应注意热管理与温度对漏电的影响,以确保长期稳定可靠。